Referenzzellenmatrixanordnung zum Datenlesen in einer nichtflüchtigen Speicheranordnung

The invention relates to a circuit structure (1) for reading data contained in an electrically programmable/erasable integrated non-volatile memory device, comprising a matrix (2) of memory cells (3) and at least one reference cell (4) for comparison with a memory cell (3) during a reading phase. Th...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	MONTANARO, MASSIMO, ODDONE, GIORGIO, ROLANDI, PAOLO
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	INFORMATION STORAGE PHYSICS STATIC STORES
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