MOS-Transistor, Halbeiterspeicherbauelement mit MOS-Transistoren und Herstellungsverfahren hierfür

A vertically structured transistor and method for manufacturing the same achieves a highly integrated semiconductor device. A pillar is vertically formed on a semiconductor substrate and forms a channel region of the transistor. A gate electrode is formed in a self-alignment fashion so as to surroun...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	PARK, KYUAN, SHIM, TAE-EARN, YU, SEON-IL
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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