Production of a storage electrode of a deep trench capacitor comprises forming a doped layer above an exposed substrate which has been structured and then thermally treating

In the production of a storage electrode of a deep trench capacitor a doped layer is formed above an exposed substrate which has been structured and then thermally treatment is carried out. Production of a storage electrode of a deep trench capacitor comprises: preparing a substrate (200) with a hard mask layer (202) and an insulating layer (204); structuring the hard mask layer and the insulating layer to form a deep trench (206) with side walls (206a); forming an insulating layer in the trench; forming hard material distance spacers in the upper region of the trench above the insulating layer; removing the insulating layer to expose the substrate; forming a doped layer above the exposed substrate; and thermally treating to form a doped region in the substrate. Ein Verfahren zum Herstellen der Speicherelektrode eines Tiefgrabenkondensators in einem Substrat wird beschrieben. Ein Substrat weist eine Kontaktflächen-Isolationsschicht und eine darauf liegende Hartmaskenschicht auf. In dem Substrat ist ein Tiefgraben ausgebildet, der gebildet wurde unter Verwendung der Hartmaskenschicht als Ätzmaske. Isolationsmaterial wird in den Tiefgraben abgeschieden, so dass eine Isolationsschicht gebildet wird, die den Tiefgraben bis zu einer Höhe unterhalb der Oberseite des Substrats ausfüllt. Abstandshalter aus Hartmaterial werden über den freigelegten Seitenwänden des Tiefgrabens gebildet. Die Isolationsschicht wird entfernt. Eine dotierte Schicht wird über dem freigelegten Substrat in dem unteren Teil des Tiefgrabens gebildet. Eine thermische Operation wird anschließend durchgeführt, wodurch ein dotiertes Gebiet in dem Substrat gebildet wird, welches Gebiet den unteren Teil des Tiefgrabens umgibt. Das dotierte Gebiet wirkt als Speicherelektrode.