Bipolartransistor, Halbleitereinrichtung mit einem Bipolartransistor und Verfahren zum Herstellen derselben

An n-type epitaxial layer is formed on a main surface of a p-type silicon substrate. An n-type buried diffusion layer is formed extending in both the p-type silicon substrate and the n-type epitaxial layer. An n-type diffusion layer is formed in the surface of the n-type epitaxial layer, which is di...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	YAMAMOTO, FUMITOSHI
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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