HARZZUSAMMENSETZUNG, HALBLEITERVORRICHTUNG, UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERVORRICHTUNG

Es wird eine Harzzusammensetzung für eine Halbleitervorrichtung vom Typ eines Wafer-Level-Chip-Size Package, die ausgezeichnete Hochfrequenzeigenschaften aufweist und einen Beschichtungsfilm bilden kann, der eine Dicke aufweist, die weniger Unebenheiten besitzt, und bei dem es unwahrscheinlich ist, dass er ein Verziehen des Halbleitersubstrats verursacht, eine Halbleitervorrichtung, die diese verwendet, und ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung bereitgestellt, insbesondere eine Harzzusammensetzung für eine Halbleitervorrichtung vom Typ eines Wafer-Level-Chip-Size Package, wobei die Harzzusammensetzung (A) ein modifiziertes Polyphenylenetherharz mit einer ungesättigten Doppelbindung am Ende davon, (B) ein Elastomer mit einem Butadien-Gerüst und wahlweise (C) ein Lösungsmittel umfasst, eine Halbleitervorrichtung, die diese verwendet, und ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung. Provided are a resin composition for a semiconductor device of a wafer level chip size package type, which exhibits excellent high-frequency properties, and can form a coating film which has a thickness that has less unevenness, and is unlikely to cause warpage of the semiconductor substrate, a semiconductor device using the same, and a method for producing a semiconductor device. A resin composition for a semiconductor device of a wafer level chip size package type, the resin composition comprising (A) a modified polyphenylene ether resin having an unsaturated double bond at the end thereof, (B) an elastomer having a butadiene skeleton, and optionally (C) a solvent, a semiconductor device using the same, and a method for producing a semiconductor device.