Halbleiterlaserelement

Ein Halbleiterlaserelement mit einer periodischen Struktur vorzusehen, in der ein Schwellenstrom reduziert ist. Das Halbleiterlaserelement enthält einen Nitrid-Halbleiterschichtkörper, der einen optischen Wellenleiter enthält. Der Nitrid-Halbleiterschichtkörper enthält eine erste n-seitige Nitrid-Halbleiterschicht (31), die eine periodische Struktur mit einem Brechungsindex aufweist, der sich entlang einer Resonanzrichtung des optischen Wellenleiters periodisch ändert, eine zweite n-seitige Nitrid-Halbleiterschicht (32), eine aktive Schicht (40), die eine oder mehrere Well-Schichten und eine oder mehrere Barriereschichten enthält, und eine p-seitige Nitrid-Halbleiterschicht (50) in dieser Reihenfolge. Die aktive Schicht (40) enthält eine n-seitige Well-Schicht, die von der einen oder den mehreren Well-Schichten am nächsten zur zweiten n-seitigen Nitrid-Halbleiterschicht (32) lokalisiert ist, und eine n-seitige Barriereschicht, die von der einen oder den mehreren Barriereschichten zwischen der n-seitigen Well-Schicht und der zweiten n-seitigen Nitrid-Halbleiterschicht (32) lokalisiert ist. Die zweite n-seitige Nitrid-Halbleiterschicht (32) ist eine Nitrid-Halbleiterschicht, die In und Ga enthält. Eine Dicke der zweiten n-seitigen Nitrid-Halbleiterschicht (32) ist größer als eine Dicke der n-seitigen Barriereschicht. A semiconductor laser element includes a nitride semiconductor layered body defining an optical waveguide, and including a first n-side nitride semiconductor layer having a periodic structure of a refractive index periodically changing along a resonance direction of the optical waveguide, a p-side nitride semiconductor layer, an active layer including one or more well lavers and barrier lavers, the one or more well layers including an n-side well layer located closest to the first n-side nitride semiconductor laver, and the one or more barrier layers including an n-side barrier layer disposed between the n-side well layer and the first n-side nitride semiconductor layer, and a second n-side nitride semiconductor layer disposed between the first n-side nitride semiconductor layer and the active layer. The second n-side nitride semiconductor layer includes In and Ga. A thickness of the second n-side nitride semiconductor layer is greater than a thickness of the n-side barrier layer.