VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR GEPULSTEN LASERABSCHEIDUNG

Es wird eine Vorrichtung zur gepulsten Laserabscheidung bereitgestellt, die eine Reaktionskammer, die im Inneren einen Substrattisch befestigt und ein erstes Heizelement, das sich oberhalb des Substrattisches befindet, und ein zweites Heizelement, das sich unterhalb des Substrattisches befindet, umfasst; mehrere Zielvorrichtungen, die jeweils an einem zweiten Ende mit einem Zielmaterial versehen sind, wobei sich die Zielmaterialien oberhalb und/oder unterhalb des Substrattisches innerhalb der Reaktionskammer befinden, wobei die Oberflächen der Zielmaterialien mit der entsprechenden Oberfläche des Substrattisches jeweils einen Winkel bilden; und mehrere Laservorrichtungen umfasst, wobei die mehreren Laservorrichtungen jeweils einen Laserstrahl erzeugen; wobei das erste Heizelement und das zweite Heizelement jeweils eine Kerbe aufweisen, wobei die Laserstrahlen der mehreren Laservorrichtungen die Oberflächen der Zielmaterialien in einer geraden Linie in Richtung parallel zu den Oberflächen des Substrattisches erreichen, wobei ein durch Bestrahlung der Laserstrahlen auf den Oberflächen der Zielmaterialien gebildete Plasma die Oberflächen des Substrattisches über die Kerben des ersten Heizelements und des zweiten Heizelements erreicht. Durch die Vorrichtung zur gepulsten Laserabscheidung der vorliegenden Anmeldung können mit einem doppelseitigen, schräg-symmetrischen Abscheidungsprozess Dünnschichten auf beiden Seiten des Substrattisches abgeschieden werden, wodurch eine Herstellung einer großen Charge von Dünnschichten mit großer Fläche und hoher Qualität realisiert wird. Disclosed is a pulsed laser deposition device, comprising: a reaction chamber, the interior of the reaction chamber being able to used for securing a substrate table, a first heating element located above the substrate table, and a second heating element located below the substrate table; a plurality of target machines, a target material being fixed at a second end of each target machine, the target material being located above and/or below the substrate table in the reaction chamber, and an included angle being formed between the surface of the target material and the surface of the substrate table; and a plurality of laser devices, the plurality of laser devices respectively generating laser beams, the first heating element and the second heating element respectively having notches, the laser beams linearly reaching the surfaces of the target materials in a direction parallel to the surfac