Halbleitervorrichtung
Es ist eine Aufgabe, eine Technik bereitzustellen, die in der Lage ist, einen Riss zu unterbinden, welcher ein Halbleiterelement erreicht. Eine Halbleitervorrichtung weist ein Halbleiterelement, einen Leitungselektrodenanschluss, ein erstes Versiegelungselement, und ein dazwischenliegendes Element a...
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Format: | Patent |
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creator | Inokuchi, Seiichiro Sasaki, Taishi Saito, Shoji Sannai, Hiroya |
description | Es ist eine Aufgabe, eine Technik bereitzustellen, die in der Lage ist, einen Riss zu unterbinden, welcher ein Halbleiterelement erreicht. Eine Halbleitervorrichtung weist ein Halbleiterelement, einen Leitungselektrodenanschluss, ein erstes Versiegelungselement, und ein dazwischenliegendes Element auf. Der Leitungselektrodenanschluss weist einen Erstreckungsabschnitt auf, welcher von einer oberen Fläche des Halbleiterelements separiert ist, und welcher mit dem Halbleiterelement verbunden ist. Das erste Versiegelungselement versiegelt einen Leitungselektrodenanschluss. Das dazwischenliegende Element ist zwischen einem Endabschnitt des Erstreckungsabschnitts in einer Erstreckungsrichtung und dem Halbleiterelement bereitgestellt. Das dazwischenliegende Element weist eine Schnittstelle mit dem ersten Versiegelungselement und dem Endabschnitt auf.
An object is to provide a technique capable of suppressing a crack that reaches a semiconductor element. A semiconductor device includes a semiconductor element, a lead electrode terminal, a first sealing member, and an intervening member. The lead electrode terminal has an extending portion separated from an upper surface of the semiconductor element, and is bonded to the semiconductor element. The first sealing member seals the lead electrode terminal. The intervening member is provided between an end portion of the extending portion in an extending direction and the semiconductor element. The intervening member has an interface with the first sealing member under the end portion. |
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An object is to provide a technique capable of suppressing a crack that reaches a semiconductor element. A semiconductor device includes a semiconductor element, a lead electrode terminal, a first sealing member, and an intervening member. The lead electrode terminal has an extending portion separated from an upper surface of the semiconductor element, and is bonded to the semiconductor element. The first sealing member seals the lead electrode terminal. The intervening member is provided between an end portion of the extending portion in an extending direction and the semiconductor element. The intervening member has an interface with the first sealing member under the end portion.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240529&DB=EPODOC&CC=DE&NR=112021008118T5$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240529&DB=EPODOC&CC=DE&NR=112021008118T5$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Inokuchi, Seiichiro</creatorcontrib><creatorcontrib>Sasaki, Taishi</creatorcontrib><creatorcontrib>Saito, Shoji</creatorcontrib><creatorcontrib>Sannai, Hiroya</creatorcontrib><title>Halbleitervorrichtung</title><description>Es ist eine Aufgabe, eine Technik bereitzustellen, die in der Lage ist, einen Riss zu unterbinden, welcher ein Halbleiterelement erreicht. Eine Halbleitervorrichtung weist ein Halbleiterelement, einen Leitungselektrodenanschluss, ein erstes Versiegelungselement, und ein dazwischenliegendes Element auf. Der Leitungselektrodenanschluss weist einen Erstreckungsabschnitt auf, welcher von einer oberen Fläche des Halbleiterelements separiert ist, und welcher mit dem Halbleiterelement verbunden ist. Das erste Versiegelungselement versiegelt einen Leitungselektrodenanschluss. Das dazwischenliegende Element ist zwischen einem Endabschnitt des Erstreckungsabschnitts in einer Erstreckungsrichtung und dem Halbleiterelement bereitgestellt. Das dazwischenliegende Element weist eine Schnittstelle mit dem ersten Versiegelungselement und dem Endabschnitt auf.
An object is to provide a technique capable of suppressing a crack that reaches a semiconductor element. A semiconductor device includes a semiconductor element, a lead electrode terminal, a first sealing member, and an intervening member. The lead electrode terminal has an extending portion separated from an upper surface of the semiconductor element, and is bonded to the semiconductor element. The first sealing member seals the lead electrode terminal. The intervening member is provided between an end portion of the extending portion in an extending direction and the semiconductor element. The intervening member has an interface with the first sealing member under the end portion.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZBD1SMxJyknNLEktKssvKspMzigpzUvnYWBNS8wpTuWF0twMam6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXxLq6GhkYGRoYGBhaGhhYhIabGRCsEAP7NI_c</recordid><startdate>20240529</startdate><enddate>20240529</enddate><creator>Inokuchi, Seiichiro</creator><creator>Sasaki, Taishi</creator><creator>Saito, Shoji</creator><creator>Sannai, Hiroya</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240529</creationdate><title>Halbleitervorrichtung</title><author>Inokuchi, Seiichiro ; Sasaki, Taishi ; Saito, Shoji ; Sannai, Hiroya</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE112021008118TT53</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2024</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Inokuchi, Seiichiro</creatorcontrib><creatorcontrib>Sasaki, Taishi</creatorcontrib><creatorcontrib>Saito, Shoji</creatorcontrib><creatorcontrib>Sannai, Hiroya</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Inokuchi, Seiichiro</au><au>Sasaki, Taishi</au><au>Saito, Shoji</au><au>Sannai, Hiroya</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Halbleitervorrichtung</title><date>2024-05-29</date><risdate>2024</risdate><abstract>Es ist eine Aufgabe, eine Technik bereitzustellen, die in der Lage ist, einen Riss zu unterbinden, welcher ein Halbleiterelement erreicht. Eine Halbleitervorrichtung weist ein Halbleiterelement, einen Leitungselektrodenanschluss, ein erstes Versiegelungselement, und ein dazwischenliegendes Element auf. Der Leitungselektrodenanschluss weist einen Erstreckungsabschnitt auf, welcher von einer oberen Fläche des Halbleiterelements separiert ist, und welcher mit dem Halbleiterelement verbunden ist. Das erste Versiegelungselement versiegelt einen Leitungselektrodenanschluss. Das dazwischenliegende Element ist zwischen einem Endabschnitt des Erstreckungsabschnitts in einer Erstreckungsrichtung und dem Halbleiterelement bereitgestellt. Das dazwischenliegende Element weist eine Schnittstelle mit dem ersten Versiegelungselement und dem Endabschnitt auf.
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