ÜBERWACHUNG GROSSER TEILCHEN MIT STEUERUNG DER LASERLEISTUNG ZURDEFEKTINSPEKTION

Ein Halbleiterwafer wird unter Verwendung eines Hauptlaserstrahls und eines Sekundärlaserstrahls inspiziert. Der Sekundärlaserstrahl ist dem Hauptlaserstrahl voraus und hat eine geringere Leistung als der Hauptlaserstrahl. Unter Verwendung des Sekundärlaserstrahls wird ein Teilchen auf dem Halbleiterwafer detektiert, das eine Größe hat, die einen Schwellenwert erfüllt. Als Reaktion auf das Erfassen des Teilchens werden die Leistung des Hauptlaserstrahls und die Leistung des Sekundärlaserstrahls reduziert. Das Teilchen durchläuft den Hauptlaserstrahl bei reduzierter Leistung des Hauptlaserstrahls. Nachdem das Teilchen den Hauptlaserstrahl bei reduzierter Leistung des Hauptlaserstrahls durchlaufen hat, werden die Leistung des Hauptlaserstrahls und die Leistung des Sekundärlaserstrahls auf eine kontrollierte Weise wiederhergestellt, die langsamer als ein einzelner Schritt ist. A semiconductor wafer is inspected using a main laser beam and a secondary laser beam. The secondary laser beam leads the main laser beam and has lower power than the main laser beam. Using the secondary laser beam, a particle is detected on the semiconductor wafer having a size that satisfies a threshold. In response to detecting the particle, the power of the main laser beam and the power of the secondary laser beam are reduced. The particle passes through the main laser beam with the main laser beam at reduced power. After the particle has passed through the main laser beam with the main laser beam at the reduced power, the power of the main laser beam and the power of the secondary laser beam are restored in a controlled manner that is slower than a single step.