WAFERBEARBEITUNGSFOLIE UND WAFERBEARBEITUNGSVERFAHREN
Folie zur Verarbeitung eines Wafers, die eine Substratfolie enthält, die mit einer Hauptoberfläche des Wafers in Kontakt kommt, wobei die Substratfolie einen exponentiellen Koeffizienten in einer exponentiellen Trendlinie für den Speichermodul E'30-80bei 30°C bis 80°C von -0,035 bis -0,070 aufw...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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container_end_page | |
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container_issue | |
container_start_page | |
container_title | |
container_volume | |
creator | Tsukui, Tomoya Hasumi, Mizuki |
description | Folie zur Verarbeitung eines Wafers, die eine Substratfolie enthält, die mit einer Hauptoberfläche des Wafers in Kontakt kommt, wobei die Substratfolie einen exponentiellen Koeffizienten in einer exponentiellen Trendlinie für den Speichermodul E'30-80bei 30°C bis 80°C von -0,035 bis -0,070 aufweist.
A sheet for processing a wafer, including a substrate sheet that comes into contact with a main surface of the wafer, wherein the substrate sheet has an exponential coefficient in an exponential trendline for storage modulus E′30-80 at 30° C. to 80° C. of −0.035 to −0.070. |
format | Patent |
fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_DE112021002032TT5</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>DE112021002032TT5</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_DE112021002032TT53</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZDANd3RzDXJydQRiz5BQP_dgN38fT1eFUD8XBQypMNcgN0ePIFc_HgbWtMSc4lReKM3NoObmGuLsoZtakB-fWlyQmJyal1oS7-JqaGhkYGRoYGBkYGwUEmJqTLRCALwcKmE</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>WAFERBEARBEITUNGSFOLIE UND WAFERBEARBEITUNGSVERFAHREN</title><source>esp@cenet</source><creator>Tsukui, Tomoya ; Hasumi, Mizuki</creator><creatorcontrib>Tsukui, Tomoya ; Hasumi, Mizuki</creatorcontrib><description>Folie zur Verarbeitung eines Wafers, die eine Substratfolie enthält, die mit einer Hauptoberfläche des Wafers in Kontakt kommt, wobei die Substratfolie einen exponentiellen Koeffizienten in einer exponentiellen Trendlinie für den Speichermodul E'30-80bei 30°C bis 80°C von -0,035 bis -0,070 aufweist.
A sheet for processing a wafer, including a substrate sheet that comes into contact with a main surface of the wafer, wherein the substrate sheet has an exponential coefficient in an exponential trendline for storage modulus E′30-80 at 30° C. to 80° C. of −0.035 to −0.070.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2023</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230119&DB=EPODOC&CC=DE&NR=112021002032T5$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,309,781,886,25569,76552</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230119&DB=EPODOC&CC=DE&NR=112021002032T5$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Tsukui, Tomoya</creatorcontrib><creatorcontrib>Hasumi, Mizuki</creatorcontrib><title>WAFERBEARBEITUNGSFOLIE UND WAFERBEARBEITUNGSVERFAHREN</title><description>Folie zur Verarbeitung eines Wafers, die eine Substratfolie enthält, die mit einer Hauptoberfläche des Wafers in Kontakt kommt, wobei die Substratfolie einen exponentiellen Koeffizienten in einer exponentiellen Trendlinie für den Speichermodul E'30-80bei 30°C bis 80°C von -0,035 bis -0,070 aufweist.
A sheet for processing a wafer, including a substrate sheet that comes into contact with a main surface of the wafer, wherein the substrate sheet has an exponential coefficient in an exponential trendline for storage modulus E′30-80 at 30° C. to 80° C. of −0.035 to −0.070.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2023</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDANd3RzDXJydQRiz5BQP_dgN38fT1eFUD8XBQypMNcgN0ePIFc_HgbWtMSc4lReKM3NoObmGuLsoZtakB-fWlyQmJyal1oS7-JqaGhkYGRoYGBkYGwUEmJqTLRCALwcKmE</recordid><startdate>20230119</startdate><enddate>20230119</enddate><creator>Tsukui, Tomoya</creator><creator>Hasumi, Mizuki</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20230119</creationdate><title>WAFERBEARBEITUNGSFOLIE UND WAFERBEARBEITUNGSVERFAHREN</title><author>Tsukui, Tomoya ; Hasumi, Mizuki</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE112021002032TT53</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2023</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Tsukui, Tomoya</creatorcontrib><creatorcontrib>Hasumi, Mizuki</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Tsukui, Tomoya</au><au>Hasumi, Mizuki</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>WAFERBEARBEITUNGSFOLIE UND WAFERBEARBEITUNGSVERFAHREN</title><date>2023-01-19</date><risdate>2023</risdate><abstract>Folie zur Verarbeitung eines Wafers, die eine Substratfolie enthält, die mit einer Hauptoberfläche des Wafers in Kontakt kommt, wobei die Substratfolie einen exponentiellen Koeffizienten in einer exponentiellen Trendlinie für den Speichermodul E'30-80bei 30°C bis 80°C von -0,035 bis -0,070 aufweist.
A sheet for processing a wafer, including a substrate sheet that comes into contact with a main surface of the wafer, wherein the substrate sheet has an exponential coefficient in an exponential trendline for storage modulus E′30-80 at 30° C. to 80° C. of −0.035 to −0.070.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
fulltext | fulltext_linktorsrc |
identifier | |
ispartof | |
issn | |
language | ger |
recordid | cdi_epo_espacenet_DE112021002032TT5 |
source | esp@cenet |
subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES |
title | WAFERBEARBEITUNGSFOLIE UND WAFERBEARBEITUNGSVERFAHREN |
url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2024-12-14T17%3A11%3A50IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Tsukui,%20Tomoya&rft.date=2023-01-19&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EDE112021002032TT5%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |