HALBLEITERVORRICHTUNG UND LEISTUNGSWANDLERVORRICHTUNG

Bei dieser Halbleitervorrichtung (1) weist eine Emitterelektrode (5) eines Leistungshalbleiterelements (2) eine erste Teilelektrode (5a) auf, die in einem Gebiet ausgebildet ist, das einen mittleren Abschnitt einer vorderen Fläche eines Halbleitersubstrats (3) aufweist, und eine zweite Teilelektrode (5b), die in einem Gebiet ausgebildet ist, das den mittleren Abschnitt der vorderen Fläche des Halbleitersubstrats nicht aufweist. Ein erster Bonddraht (21 bis 23) verbindet die erste Teilelektrode und einen Emitteranschluss (13). Ein zweiter Bonddraht (24 bis 26) verbindet die zweite Teilelektrode und den Emitteranschluss. Ein erster und zweiter Spannungsdetektor (41 und 42) detektieren Spannungen zwischen dem Emitteranschluss und der ersten bzw. zweiten Teilelektrode. Es ist möglich, eine Beeinträchtigung sowohl des ersten Bonddrahts, der in einer frühen Phase beeinträchtigt wird, und des zweiten Bonddrahts, der in einer Endphase beeinträchtigt wird, getrennt zu detektieren. In this semiconductor device, an emitter electrode of a power semiconductor element includes a first sub-electrode provided in a region including a central portion of a front surface of a semiconductor substrate and a second sub-electrode provided in a region not including the central portion of the front surface of the semiconductor substrate. A first bonding wire connects the first sub-electrode and an emitter terminal. A second bonding wire connects the second sub-electrode and the emitter terminal. First and second voltage detectors detect voltages between the emitter terminal and the first and second sub-electrodes, respectively. It is possible to separately detect degradation of both the first bonding wire that degrades in an early period and the second bonding wire that degrades in a terminal period.