Lichtdetektionsvorrichtung
Eine Lichtdetektionsvorrichtung 1 beinhaltet ein Halbleitersubstrat 20, eine Vielzahl von Pad-Elektroden 42 und eine Vielzahl von Verdrahtungsbereichen 43. Das Halbleitersubstrat 20 weist erste und zweite Hauptoberflächen auf, die zueinander weisen. Das Halbleitersubstrat 20 beinhaltet eine Vielzahl...
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| creator | Maekita, Kazuaki Okazaki, Yuji Nishio, Fumitaka Sonobe, Hironori |
| description | Eine Lichtdetektionsvorrichtung 1 beinhaltet ein Halbleitersubstrat 20, eine Vielzahl von Pad-Elektroden 42 und eine Vielzahl von Verdrahtungsbereichen 43. Das Halbleitersubstrat 20 weist erste und zweite Hauptoberflächen auf, die zueinander weisen. Das Halbleitersubstrat 20 beinhaltet eine Vielzahl von Zellen 22. Jede der Vielzahl von Zellen 22 beinhaltet zumindest eine Lawinen-Photodiode 23. Die Vielzahl von Pad-Elektroden 42 sind auf der Hauptoberfläche 20a so angeordnet, dass sie von der Vielzahl von Zellen 22 beabstandet sind. Die Vielzahl von Verdrahtungsbereichen 43 sind auf der ersten Hauptoberfläche 20a angeordnet. Jeder der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen 43 verbindet die Zelle 22 und die Pad-Elektrode 42, die einander entsprechen, miteinander. Das Halbleitersubstrat 20 beinhaltet einen Peripherieträger-Absorbierbereich 24, der konfiguriert ist, an einer Peripherie des Peripherieträger-Absorbierbereichs lokalisierte Träger zu absorbieren. Der Peripherieträger-Absorbierbereich 24 ist um jede Pad-Elektrode 42 und jeden Verdrahtungsbereich 43 vorgesehen, bei Sicht aus einer Richtung rechtwinklig zur ersten Hauptoberfläche 20a.
A light detection device 1 includes a light detection unit 20. The light detection unit 20 includes an APD 11, a plurality of temperature compensation diodes 16a, 16b, 17a, and 17b, and a terminal 22 electrically connecting the APD 11 and the plurality of temperature compensation diodes 16a, 16b, 17a, and 17b in parallel with each other. The plurality of temperature compensation diodes 16a, 16b, 17a, and 17b is configured to provide temperature compensation for the gain of the APD 11. The light detection unit 20 has a light detection region 71 and temperature detection regions 72 and 73. The APD 11 is provided in the light detection region 71. The temperature detection regions 72 and 73 are located around the light detection region 71. The plurality of temperature compensation diodes 16a, 16b, 17a, and 17b are provided in the temperature detection regions 72 and 73. The light detection region 71 is interposed between the temperature detection region 72 and the temperature detection region 73. |
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A light detection device 1 includes a light detection unit 20. The light detection unit 20 includes an APD 11, a plurality of temperature compensation diodes 16a, 16b, 17a, and 17b, and a terminal 22 electrically connecting the APD 11 and the plurality of temperature compensation diodes 16a, 16b, 17a, and 17b in parallel with each other. The plurality of temperature compensation diodes 16a, 16b, 17a, and 17b is configured to provide temperature compensation for the gain of the APD 11. The light detection unit 20 has a light detection region 71 and temperature detection regions 72 and 73. The APD 11 is provided in the light detection region 71. The temperature detection regions 72 and 73 are located around the light detection region 71. The plurality of temperature compensation diodes 16a, 16b, 17a, and 17b are provided in the temperature detection regions 72 and 73. The light detection region 71 is interposed between the temperature detection region 72 and the temperature detection region 73.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; COLORIMETRY ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT,POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED,VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT ; MEASURING ; PHYSICS ; RADIATION PYROMETRY ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TESTING</subject><creationdate>2021</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20210902&DB=EPODOC&CC=DE&NR=112019006185T5$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20210902&DB=EPODOC&CC=DE&NR=112019006185T5$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Maekita, Kazuaki</creatorcontrib><creatorcontrib>Okazaki, Yuji</creatorcontrib><creatorcontrib>Nishio, Fumitaka</creatorcontrib><creatorcontrib>Sonobe, Hironori</creatorcontrib><title>Lichtdetektionsvorrichtung</title><description>Eine Lichtdetektionsvorrichtung 1 beinhaltet ein Halbleitersubstrat 20, eine Vielzahl von Pad-Elektroden 42 und eine Vielzahl von Verdrahtungsbereichen 43. Das Halbleitersubstrat 20 weist erste und zweite Hauptoberflächen auf, die zueinander weisen. Das Halbleitersubstrat 20 beinhaltet eine Vielzahl von Zellen 22. Jede der Vielzahl von Zellen 22 beinhaltet zumindest eine Lawinen-Photodiode 23. Die Vielzahl von Pad-Elektroden 42 sind auf der Hauptoberfläche 20a so angeordnet, dass sie von der Vielzahl von Zellen 22 beabstandet sind. Die Vielzahl von Verdrahtungsbereichen 43 sind auf der ersten Hauptoberfläche 20a angeordnet. Jeder der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen 43 verbindet die Zelle 22 und die Pad-Elektrode 42, die einander entsprechen, miteinander. Das Halbleitersubstrat 20 beinhaltet einen Peripherieträger-Absorbierbereich 24, der konfiguriert ist, an einer Peripherie des Peripherieträger-Absorbierbereichs lokalisierte Träger zu absorbieren. Der Peripherieträger-Absorbierbereich 24 ist um jede Pad-Elektrode 42 und jeden Verdrahtungsbereich 43 vorgesehen, bei Sicht aus einer Richtung rechtwinklig zur ersten Hauptoberfläche 20a.
A light detection device 1 includes a light detection unit 20. The light detection unit 20 includes an APD 11, a plurality of temperature compensation diodes 16a, 16b, 17a, and 17b, and a terminal 22 electrically connecting the APD 11 and the plurality of temperature compensation diodes 16a, 16b, 17a, and 17b in parallel with each other. The plurality of temperature compensation diodes 16a, 16b, 17a, and 17b is configured to provide temperature compensation for the gain of the APD 11. The light detection unit 20 has a light detection region 71 and temperature detection regions 72 and 73. The APD 11 is provided in the light detection region 71. The temperature detection regions 72 and 73 are located around the light detection region 71. The plurality of temperature compensation diodes 16a, 16b, 17a, and 17b are provided in the temperature detection regions 72 and 73. The light detection region 71 is interposed between the temperature detection region 72 and the temperature detection region 73.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>COLORIMETRY</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT,POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED,VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT</subject><subject>MEASURING</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>RADIATION PYROMETRY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TESTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2021</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZJDyyUzOKElJLUnNLsnMzysuyy8qAomU5qXzMLCmJeYUp_JCaW4GNTfXEGcP3dSC_PjU4oLE5NS81JJ4F1dDQyMDQ0sDAzNDC9OQEFNjohUCAA5PJkA</recordid><startdate>20210902</startdate><enddate>20210902</enddate><creator>Maekita, Kazuaki</creator><creator>Okazaki, Yuji</creator><creator>Nishio, Fumitaka</creator><creator>Sonobe, Hironori</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20210902</creationdate><title>Lichtdetektionsvorrichtung</title><author>Maekita, Kazuaki ; Okazaki, Yuji ; Nishio, Fumitaka ; Sonobe, Hironori</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE112019006185TT53</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2021</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>COLORIMETRY</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT,POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED,VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT</topic><topic>MEASURING</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>RADIATION PYROMETRY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TESTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Maekita, Kazuaki</creatorcontrib><creatorcontrib>Okazaki, Yuji</creatorcontrib><creatorcontrib>Nishio, Fumitaka</creatorcontrib><creatorcontrib>Sonobe, Hironori</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Maekita, Kazuaki</au><au>Okazaki, Yuji</au><au>Nishio, Fumitaka</au><au>Sonobe, Hironori</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Lichtdetektionsvorrichtung</title><date>2021-09-02</date><risdate>2021</risdate><abstract>Eine Lichtdetektionsvorrichtung 1 beinhaltet ein Halbleitersubstrat 20, eine Vielzahl von Pad-Elektroden 42 und eine Vielzahl von Verdrahtungsbereichen 43. Das Halbleitersubstrat 20 weist erste und zweite Hauptoberflächen auf, die zueinander weisen. Das Halbleitersubstrat 20 beinhaltet eine Vielzahl von Zellen 22. Jede der Vielzahl von Zellen 22 beinhaltet zumindest eine Lawinen-Photodiode 23. Die Vielzahl von Pad-Elektroden 42 sind auf der Hauptoberfläche 20a so angeordnet, dass sie von der Vielzahl von Zellen 22 beabstandet sind. Die Vielzahl von Verdrahtungsbereichen 43 sind auf der ersten Hauptoberfläche 20a angeordnet. Jeder der Vielzahl von Verdrahtungsbereichen 43 verbindet die Zelle 22 und die Pad-Elektrode 42, die einander entsprechen, miteinander. Das Halbleitersubstrat 20 beinhaltet einen Peripherieträger-Absorbierbereich 24, der konfiguriert ist, an einer Peripherie des Peripherieträger-Absorbierbereichs lokalisierte Träger zu absorbieren. Der Peripherieträger-Absorbierbereich 24 ist um jede Pad-Elektrode 42 und jeden Verdrahtungsbereich 43 vorgesehen, bei Sicht aus einer Richtung rechtwinklig zur ersten Hauptoberfläche 20a.
A light detection device 1 includes a light detection unit 20. The light detection unit 20 includes an APD 11, a plurality of temperature compensation diodes 16a, 16b, 17a, and 17b, and a terminal 22 electrically connecting the APD 11 and the plurality of temperature compensation diodes 16a, 16b, 17a, and 17b in parallel with each other. The plurality of temperature compensation diodes 16a, 16b, 17a, and 17b is configured to provide temperature compensation for the gain of the APD 11. The light detection unit 20 has a light detection region 71 and temperature detection regions 72 and 73. The APD 11 is provided in the light detection region 71. The temperature detection regions 72 and 73 are located around the light detection region 71. The plurality of temperature compensation diodes 16a, 16b, 17a, and 17b are provided in the temperature detection regions 72 and 73. The light detection region 71 is interposed between the temperature detection region 72 and the temperature detection region 73.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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