OPTOELEKTRONISCHE EINHEITEN AUF GRUNDLAGE VON INTRINSISCHEN PLASMON-EXZITON-POLARITONEN

Halbleitereinheit, aufweisend:ein Band (202) einer Dicke und einer Breite, wobei ein Material des Bandes dafür konfiguriert ist, Exzitonen ebenso wie Plasmonen zu beherbergen, und wobei die Breite eine inverse Funktion eines Wellenvektorwerts ist, bei welchem ein Energieniveau von Plasmonen in dem Material gleich hoch ist wie ein Energieniveau von Exzitonen in dem Material, wobei die gleichen Energien der Plasmonen und der Exzitonen in dem Band eine Anregung intrinsischer Plasmon-Exziton-Polaritonen in dem Band bewirken;einen ersten Kontakt (402, 602), der mit einer ersten Stelle auf dem Band elektrisch verbunden ist; undeinen zweiten Kontakt (404, 604), der mit einer zweiten Stelle auf dem Band elektrisch verbunden ist. A semiconductor device includes a ribbon of a thickness and a width. A material of the ribbon is configured to host excitons as well as plasmons, and the width is an inverse function of a wavector value at which an energy level of plasmons in the material substantially equals an energy level of excitons in the material. The substantially equal energies of the plasmons and the excitons in the ribbon cause an excitation of intrinsic plasmon-exciton polaritons (IPEPs) in the ribbon. A first contact electrically couples to a first location on the ribbon, and a second contact electrically couples to a second location on the ribbon.