HALBLEITER-LEISTUNGSMODUL UND LEISTUNGSWANDLER

Ein Halbleiter-Leistungsmodul (1) weist Folgendes auf: Eine Basisplatte (3), ein Isoliersubstrat (7), ein Leistungs-Halbleiterelement (17), einen externen Anschluss (23), einen Hauptterminal (31), einen verbundenen Körper (33), ein Gehäuse (21), ein hochisolierendes spannungsfestes Harzmaterial (25), ein Dichtungsharz (27) und einen Deckel (29). Der Hauptterminal (31) ist mit dem verbundenen Körper (33) verbunden. Der verbundene Körper (33) ist direkt mit der Metallplatte (13) verbunden. Der verbundene Körper (33) ist mit einem Aufnahmebereich (34) versehen, in dem der Hauptterminal (31) aufgenommen wird. Der Aufnahmebereich (34) ist mit einem Schlitzbereich versehen. Der Schlitzbereich erstreckt sich von einer unteren Endseite des Aufnahmebereichs (34) zu einer oberen Endseite desselben. Die untere Endseite befindet sich auf einer Seite nahe dem Isoliersubstrat (7). Die obere Endseite befindet sich gegenüber der Seite nahe dem Isoliersubstrat (7). A semiconductor power module includes a base plate, an insulating substrate, a power semiconductor element, an external terminal, a main terminal, a connected body, a case, a highly-insulating voltage-resisting resin material, a sealing resin, and a cover. The main terminal is connected to the connected body. The connected body is directly joined to the metal plate. The connected body is provided with a receiving section in which the main terminal is received. The receiving section is provided with a slit portion. The slit portion extends from a lower end side of the receiving section toward an upper end side thereof. The lower end side is located on a side close to the insulating substrate. The upper end side is located opposite to the side close to the insulating substrate.