Halbleiterelement und Durchflussmengen-Messvorrichtung, die es verwendet
Halbleiterelement, das Folgendes umfasst:ein Halbleitersubstrat (1) mit einer Hohlraumkomponente; undeine Laminatkomponente (18), die auf das Halbleitersubstrat (1) laminiert ist, wobeidie Laminatkomponente (18) eine Membran (7) bildet, die die Hohlraumkomponente abdeckt,die Laminatkomponente (18) e...
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| creator | Ishitsuka, Norio Onose, Yasuo |
| description | Halbleiterelement, das Folgendes umfasst:ein Halbleitersubstrat (1) mit einer Hohlraumkomponente; undeine Laminatkomponente (18), die auf das Halbleitersubstrat (1) laminiert ist, wobeidie Laminatkomponente (18) eine Membran (7) bildet, die die Hohlraumkomponente abdeckt,die Laminatkomponente (18) einen Siliziumfilm (4) und einen Aluminiumfilm (3), die ein Thermoelement bilden, und eine Verbindungskomponente (5), die zwischen dem Siliziumfilm (4) und dem Aluminiumfilm (3) verbindet, aufweist,die Verbindungskomponente (5) in der Membran (7) vorgesehen ist,das Halbleiterelement eine Schaltungskomponente (8) enthält, die einen Transistor (22), der außerhalb der Membran (7) vorgesehen ist, eine erste Aluminiumschicht, die außerhalb der Membran (7) in der Laminatkomponente (18) gebildet ist, und eine zweite Aluminiumschicht, die über der ersten Aluminiumschicht gebildet ist, aufweist, undin dem Aluminiumfilm (3), der das Thermoelement bildet, ein Abschnitt, der einen Endabschnitt der Membran (7) kreuzt, über der ersten Aluminiumschicht gebildet ist.
Provided are a semiconductor device and a thermal type fluid flow rate sensor which suppress strain occurring in an aluminum film and suppresses disconnection due to repeated metal fatigue of the aluminum film. The semiconductor device and the thermal type fluid flow rate sensor of the present invention are configured so that the heights of a silicon film and an aluminum film satisfy D>D1 between a flow rate sensor part (immediately above a diaphragm end part) D and a circuit part (LSI part) D1. |
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Provided are a semiconductor device and a thermal type fluid flow rate sensor which suppress strain occurring in an aluminum film and suppresses disconnection due to repeated metal fatigue of the aluminum film. The semiconductor device and the thermal type fluid flow rate sensor of the present invention are configured so that the heights of a silicon film and an aluminum film satisfy D>D1 between a flow rate sensor part (immediately above a diaphragm end part) D and a circuit part (LSI part) D1.</description><language>ger</language><subject>MEASURING ; MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUIDLEVEL ; METERING BY VOLUME ; MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES ; MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY ; PERFORMING OPERATIONS ; PHYSICS ; TESTING ; TRANSPORTING</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240711&DB=EPODOC&CC=DE&NR=112018006201B4$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240711&DB=EPODOC&CC=DE&NR=112018006201B4$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Ishitsuka, Norio</creatorcontrib><creatorcontrib>Onose, Yasuo</creatorcontrib><title>Halbleiterelement und Durchflussmengen-Messvorrichtung, die es verwendet</title><description>Halbleiterelement, das Folgendes umfasst:ein Halbleitersubstrat (1) mit einer Hohlraumkomponente; undeine Laminatkomponente (18), die auf das Halbleitersubstrat (1) laminiert ist, wobeidie Laminatkomponente (18) eine Membran (7) bildet, die die Hohlraumkomponente abdeckt,die Laminatkomponente (18) einen Siliziumfilm (4) und einen Aluminiumfilm (3), die ein Thermoelement bilden, und eine Verbindungskomponente (5), die zwischen dem Siliziumfilm (4) und dem Aluminiumfilm (3) verbindet, aufweist,die Verbindungskomponente (5) in der Membran (7) vorgesehen ist,das Halbleiterelement eine Schaltungskomponente (8) enthält, die einen Transistor (22), der außerhalb der Membran (7) vorgesehen ist, eine erste Aluminiumschicht, die außerhalb der Membran (7) in der Laminatkomponente (18) gebildet ist, und eine zweite Aluminiumschicht, die über der ersten Aluminiumschicht gebildet ist, aufweist, undin dem Aluminiumfilm (3), der das Thermoelement bildet, ein Abschnitt, der einen Endabschnitt der Membran (7) kreuzt, über der ersten Aluminiumschicht gebildet ist.
Provided are a semiconductor device and a thermal type fluid flow rate sensor which suppress strain occurring in an aluminum film and suppresses disconnection due to repeated metal fatigue of the aluminum film. The semiconductor device and the thermal type fluid flow rate sensor of the present invention are configured so that the heights of a silicon film and an aluminum film satisfy D>D1 between a flow rate sensor part (immediately above a diaphragm end part) D and a circuit part (LSI part) D1.</description><subject>MEASURING</subject><subject>MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUIDLEVEL</subject><subject>METERING BY VOLUME</subject><subject>MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES</subject><subject>MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>TESTING</subject><subject>TRANSPORTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNyrEOgjAURmEWB6O-Qxc3SVo1xFnBdHFzJ7X9gSb1QnpbfH0ZfACnLzk560JrE14BPiEi4A1KIpMTdY526EJmXlIPKh9gnscYvR1Spv4gnIcAixnxA3JI22LVmcDY_dwU-3vzvOkS09iCJ2NBSG3dKHWU6iJltXA9n_79vrQkNpE</recordid><startdate>20240711</startdate><enddate>20240711</enddate><creator>Ishitsuka, Norio</creator><creator>Onose, Yasuo</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240711</creationdate><title>Halbleiterelement und Durchflussmengen-Messvorrichtung, die es verwendet</title><author>Ishitsuka, Norio ; Onose, Yasuo</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE112018006201B43</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2024</creationdate><topic>MEASURING</topic><topic>MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUIDLEVEL</topic><topic>METERING BY VOLUME</topic><topic>MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES</topic><topic>MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>TESTING</topic><topic>TRANSPORTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Ishitsuka, Norio</creatorcontrib><creatorcontrib>Onose, Yasuo</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Ishitsuka, Norio</au><au>Onose, Yasuo</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Halbleiterelement und Durchflussmengen-Messvorrichtung, die es verwendet</title><date>2024-07-11</date><risdate>2024</risdate><abstract>Halbleiterelement, das Folgendes umfasst:ein Halbleitersubstrat (1) mit einer Hohlraumkomponente; undeine Laminatkomponente (18), die auf das Halbleitersubstrat (1) laminiert ist, wobeidie Laminatkomponente (18) eine Membran (7) bildet, die die Hohlraumkomponente abdeckt,die Laminatkomponente (18) einen Siliziumfilm (4) und einen Aluminiumfilm (3), die ein Thermoelement bilden, und eine Verbindungskomponente (5), die zwischen dem Siliziumfilm (4) und dem Aluminiumfilm (3) verbindet, aufweist,die Verbindungskomponente (5) in der Membran (7) vorgesehen ist,das Halbleiterelement eine Schaltungskomponente (8) enthält, die einen Transistor (22), der außerhalb der Membran (7) vorgesehen ist, eine erste Aluminiumschicht, die außerhalb der Membran (7) in der Laminatkomponente (18) gebildet ist, und eine zweite Aluminiumschicht, die über der ersten Aluminiumschicht gebildet ist, aufweist, undin dem Aluminiumfilm (3), der das Thermoelement bildet, ein Abschnitt, der einen Endabschnitt der Membran (7) kreuzt, über der ersten Aluminiumschicht gebildet ist.
Provided are a semiconductor device and a thermal type fluid flow rate sensor which suppress strain occurring in an aluminum film and suppresses disconnection due to repeated metal fatigue of the aluminum film. The semiconductor device and the thermal type fluid flow rate sensor of the present invention are configured so that the heights of a silicon film and an aluminum film satisfy D>D1 between a flow rate sensor part (immediately above a diaphragm end part) D and a circuit part (LSI part) D1.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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