LEISTUNGSHALBLEITEREINHEIT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE LEISTUNGSHALBLEITEREINHEIT

Eine Leistungshalbleitereinheit weist ein Substrat sowie ein Halbleiterelement auf, das unter Verwendung eines gesinterten Metall-Bonding-Materials auf eine erste Oberfläche des Substrats gebondet ist. Das Substrat weist eine Mehrzahl von Vertiefungen auf, die in der ersten Oberfläche ausgebildet sind und sich außerhalb einer Stelle unmittelbar unterhalb einer Wärmeerzeugungseinheit des Halbleiterelements befinden. Das gesinterte Metall-Bonding-Material wird nach der Bildung der Vertiefungen auf das Substrat zugeführt, und das Halbleiterelement wird durch Beaufschlagung mit Wärme und einem Druck an das Substrat gebondet. A power semiconductor device includes a substrate and a semiconductor element bonded onto a first surface of the substrate through use of a sintered metal bonding material. The substrate has a plurality of dimples formed in the first surface and located outside a location immediately below a heat generation unit of the semiconductor element. The sintered metal bonding material is supplied onto the substrate after the formation of the dimples, and the semiconductor element is bonded to the substrate through application of heat and a pressure thereto.