HALBLEITERVORRICHTUNG UND ZUGEHÖRIGES HERSTELLUNGSVERFAHREN

Eine Halbleitervorrichtung (100) weist eine Leistungs-Halbleitereinrichtung (10), eine Harzschicht (11) und ein Dichtungs-Isoliermaterial (13) auf. Die Leistungs-Halbleitereinrichtung (10) weist Folgendes auf: eine erste Elektrode (3), die einen ersten Bereich (1c) auf der einen Hauptfläche des Halbleitersubstrats (1) bedeckt; eine zweite Elektrode (5), die auf der anderen Hauptfläche des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist; einen Schutzring (8), der in einem zweiten Bereich (1d) ausgebildet ist, der weiter außen liegt als der erste Bereich (1c); und eine nichtleitende anorganische Schicht (9), die sich im zweiten Bereich (1d) befindet und den Schutzring (8) bedeckt.Die Harzschicht (11) überlappt den Schutzring (8) in der Draufsicht, und die Harzschicht (11) auf der nichtleitenden anorganischen Schicht (9) hat eine Dicke von 35 µm oder mehr. Die Harzschicht (11) ist eine Schicht einer einzelnen Schicht oder Lage, und die Harzschicht (11) hat eine äußerste Kante (11b) in der Form einer sich in Abwärtsrichtung ausbreitenden Rundung. Die äußerste Kante (11b) der Harzschicht (11) liegt weiter innen als die äußerste Kante des Halbleitersubstrats (1). A semiconductor apparatus includes a power semiconductor device, a resin film and a sealing insulating material. The power semiconductor device includes: a first electrode covering a first region on one main surface of the semiconductor substrate; a second electrode formed on the other main surface of the semiconductor substrate; a guard ring formed in a second region outer than the first region; and a non-conductive inorganic film located in the second region and covering the guard ring. The resin film overlaps the guard ring in a plan view, and the resin film on the non-conductive inorganic film has a thickness of 35 μm or more. The resin film is a film of a single layer, and the resin film has an outermost edge in the form of a downwardly spreading fillet. The outermost edge of the resin film is inner than an outermost edge of the semiconductor substrate.