Optoelektronisches Halbleiterbauteil
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit- mindestens einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung im nahultravioletten oder im sichtbaren Spektralbereich,- mindestens einem Leuchtstoff (3) zur teilweisen oder vollständigen Umwandlung der Primärstrahlung in eine...
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| Format: | Patent |
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| creator | Wirth, Ralph Biebersdorf, Andreas Lange, Stefan Stöppelkamp, Vera Jermann, Frank |
| description | Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit- mindestens einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung im nahultravioletten oder im sichtbaren Spektralbereich,- mindestens einem Leuchtstoff (3) zur teilweisen oder vollständigen Umwandlung der Primärstrahlung in eine langwelligere Sekundärstrahlung, die im sichtbaren Spektralbereich liegt, und- mindestens einem Filterstoff (4) zur teilweisen Absorption der Sekundärstrahlung, wobei- der Leuchtstoff (3) und der Filterstoff (4) innig mit dem Halbleiterchip (2) verbunden sind,- der Filterstoff (4) für die Primärstrahlung strahlungsdurchlässig ist,- der Filterstoff (4) spektral schmalbandig absorbiert im Wellenlängenbereich oberhalb von mindestens 530 nm mit einer spektralen Halbwertbreite von höchstens 20 nm,- der Leuchtstoff (3) und der Filterstoff (4) statistisch miteinander durchmischt vorliegen, sodass keine Phasentrennung zwischen dem Leuchtstoff (3) und dem Filterstoff (4) gegeben ist und der Leuchtstoff (3) und der Filterstoff (4) jeweils homogen verteilt vorliegen, und- durch den Filterstoff (4) ein Farbwiedergabeindex und ein Farbkontrastindex einer von dem Halbleiterbauteil (1) emittierten Mischstrahlung, die aus der Primärstrahlung und der Sekundärstrahlung besteht, erhöht sind.
An optoelectronic semiconductor component is disclosed. In an embodiment, the semiconductor component includes at least one optoelectronic semiconductor chip for generating primary radiation in a near-ultraviolet or in a visible spectral range, at least one phosphor for partial or complete conversion of the primary radiation into a longer-waved secondary radiation which is in the visible spectral range and at least one filter substance for partial absorption of the secondary radiation, wherein the phosphor and the filter substance are closely connected to the semiconductor chip. |
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An optoelectronic semiconductor component is disclosed. In an embodiment, the semiconductor component includes at least one optoelectronic semiconductor chip for generating primary radiation in a near-ultraviolet or in a visible spectral range, at least one phosphor for partial or complete conversion of the primary radiation into a longer-waved secondary radiation which is in the visible spectral range and at least one filter substance for partial absorption of the secondary radiation, wherein the phosphor and the filter substance are closely connected to the semiconductor chip.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; BLASTING ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMSTHEREOF ; HEATING ; LIGHTING ; MECHANICAL ENGINEERING ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHERARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; WEAPONS</subject><creationdate>2023</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230119&DB=EPODOC&CC=DE&NR=112015002763B4$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25563,76318</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230119&DB=EPODOC&CC=DE&NR=112015002763B4$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Wirth, Ralph</creatorcontrib><creatorcontrib>Biebersdorf, Andreas</creatorcontrib><creatorcontrib>Lange, Stefan</creatorcontrib><creatorcontrib>Stöppelkamp, Vera</creatorcontrib><creatorcontrib>Jermann, Frank</creatorcontrib><title>Optoelektronisches Halbleiterbauteil</title><description>Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit- mindestens einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung im nahultravioletten oder im sichtbaren Spektralbereich,- mindestens einem Leuchtstoff (3) zur teilweisen oder vollständigen Umwandlung der Primärstrahlung in eine langwelligere Sekundärstrahlung, die im sichtbaren Spektralbereich liegt, und- mindestens einem Filterstoff (4) zur teilweisen Absorption der Sekundärstrahlung, wobei- der Leuchtstoff (3) und der Filterstoff (4) innig mit dem Halbleiterchip (2) verbunden sind,- der Filterstoff (4) für die Primärstrahlung strahlungsdurchlässig ist,- der Filterstoff (4) spektral schmalbandig absorbiert im Wellenlängenbereich oberhalb von mindestens 530 nm mit einer spektralen Halbwertbreite von höchstens 20 nm,- der Leuchtstoff (3) und der Filterstoff (4) statistisch miteinander durchmischt vorliegen, sodass keine Phasentrennung zwischen dem Leuchtstoff (3) und dem Filterstoff (4) gegeben ist und der Leuchtstoff (3) und der Filterstoff (4) jeweils homogen verteilt vorliegen, und- durch den Filterstoff (4) ein Farbwiedergabeindex und ein Farbkontrastindex einer von dem Halbleiterbauteil (1) emittierten Mischstrahlung, die aus der Primärstrahlung und der Sekundärstrahlung besteht, erhöht sind.
An optoelectronic semiconductor component is disclosed. In an embodiment, the semiconductor component includes at least one optoelectronic semiconductor chip for generating primary radiation in a near-ultraviolet or in a visible spectral range, at least one phosphor for partial or complete conversion of the primary radiation into a longer-waved secondary radiation which is in the visible spectral range and at least one filter substance for partial absorption of the secondary radiation, wherein the phosphor and the filter substance are closely connected to the semiconductor chip.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>BLASTING</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMSTHEREOF</subject><subject>HEATING</subject><subject>LIGHTING</subject><subject>MECHANICAL ENGINEERING</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHERARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>WEAPONS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2023</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZFDxLyjJT81JzS4pys_LLE7OSC1W8EjMScpJzSxJLUpKLC1JzczhYWBNS8wpTuWF0twMqm6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXxLq6GhkYGhqYGBkbmZsZOJsbEqgMAmJ8pDA</recordid><startdate>20230119</startdate><enddate>20230119</enddate><creator>Wirth, Ralph</creator><creator>Biebersdorf, Andreas</creator><creator>Lange, Stefan</creator><creator>Stöppelkamp, Vera</creator><creator>Jermann, Frank</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20230119</creationdate><title>Optoelektronisches Halbleiterbauteil</title><author>Wirth, Ralph ; Biebersdorf, Andreas ; Lange, Stefan ; Stöppelkamp, Vera ; Jermann, Frank</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE112015002763B43</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2023</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>BLASTING</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMSTHEREOF</topic><topic>HEATING</topic><topic>LIGHTING</topic><topic>MECHANICAL ENGINEERING</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHERARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>WEAPONS</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Wirth, Ralph</creatorcontrib><creatorcontrib>Biebersdorf, Andreas</creatorcontrib><creatorcontrib>Lange, Stefan</creatorcontrib><creatorcontrib>Stöppelkamp, Vera</creatorcontrib><creatorcontrib>Jermann, Frank</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Wirth, Ralph</au><au>Biebersdorf, Andreas</au><au>Lange, Stefan</au><au>Stöppelkamp, Vera</au><au>Jermann, Frank</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Optoelektronisches Halbleiterbauteil</title><date>2023-01-19</date><risdate>2023</risdate><abstract>Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit- mindestens einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung im nahultravioletten oder im sichtbaren Spektralbereich,- mindestens einem Leuchtstoff (3) zur teilweisen oder vollständigen Umwandlung der Primärstrahlung in eine langwelligere Sekundärstrahlung, die im sichtbaren Spektralbereich liegt, und- mindestens einem Filterstoff (4) zur teilweisen Absorption der Sekundärstrahlung, wobei- der Leuchtstoff (3) und der Filterstoff (4) innig mit dem Halbleiterchip (2) verbunden sind,- der Filterstoff (4) für die Primärstrahlung strahlungsdurchlässig ist,- der Filterstoff (4) spektral schmalbandig absorbiert im Wellenlängenbereich oberhalb von mindestens 530 nm mit einer spektralen Halbwertbreite von höchstens 20 nm,- der Leuchtstoff (3) und der Filterstoff (4) statistisch miteinander durchmischt vorliegen, sodass keine Phasentrennung zwischen dem Leuchtstoff (3) und dem Filterstoff (4) gegeben ist und der Leuchtstoff (3) und der Filterstoff (4) jeweils homogen verteilt vorliegen, und- durch den Filterstoff (4) ein Farbwiedergabeindex und ein Farbkontrastindex einer von dem Halbleiterbauteil (1) emittierten Mischstrahlung, die aus der Primärstrahlung und der Sekundärstrahlung besteht, erhöht sind.
An optoelectronic semiconductor component is disclosed. In an embodiment, the semiconductor component includes at least one optoelectronic semiconductor chip for generating primary radiation in a near-ultraviolet or in a visible spectral range, at least one phosphor for partial or complete conversion of the primary radiation into a longer-waved secondary radiation which is in the visible spectral range and at least one filter substance for partial absorption of the secondary radiation, wherein the phosphor and the filter substance are closely connected to the semiconductor chip.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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