Optoelektronisches Halbleiterbauteil

Optoelektronisches Halbleiterbauteil umfassend einen ersten Funktionsbereich (1) mit einer aktiven Zone, die zur Strahlungserzeugung oder zum Strahlungsempfang vorgesehen ist, sowie einen zweiten Funktionsbereich (3), der ein serielles Schieberegister (5) mit einem Dateneingang (51) umfasst und der...

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Hauptverfasser: Gruber, Stefan, Kiessling, Matthias, Wittmann, Michael, Grötsch, Stefan
Format: Patent
Sprache:ger
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creator Gruber, Stefan
Kiessling, Matthias
Wittmann, Michael
Grötsch, Stefan
description Optoelektronisches Halbleiterbauteil umfassend einen ersten Funktionsbereich (1) mit einer aktiven Zone, die zur Strahlungserzeugung oder zum Strahlungsempfang vorgesehen ist, sowie einen zweiten Funktionsbereich (3), der ein serielles Schieberegister (5) mit einem Dateneingang (51) umfasst und der geeignet ist zur Ansteuerung des ersten Funktionsbereichs (1) beizutragen, wobei der erste Funktionsbereich (1) und der zweite Funktionsbereich (2) auf demselben Trägersubstrat (3) integriert sind. An optoelectronic semiconductor component includes a first functional region having an active zone provided for generating radiation or for receiving radiation, and a second functional region, which is suitable for contributing to the driving of the first functional region. The first functional region and the second functional region are integrated on the same carrier substrate.
format Patent
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An optoelectronic semiconductor component includes a first functional region having an active zone provided for generating radiation or for receiving radiation, and a second functional region, which is suitable for contributing to the driving of the first functional region. The first functional region and the second functional region are integrated on the same carrier substrate.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC HEATING ; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20240718&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=112013005569B4$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,777,882,25545,76296</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20240718&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=112013005569B4$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Gruber, Stefan</creatorcontrib><creatorcontrib>Kiessling, Matthias</creatorcontrib><creatorcontrib>Wittmann, Michael</creatorcontrib><creatorcontrib>Grötsch, Stefan</creatorcontrib><title>Optoelektronisches Halbleiterbauteil</title><description>Optoelektronisches Halbleiterbauteil umfassend einen ersten Funktionsbereich (1) mit einer aktiven Zone, die zur Strahlungserzeugung oder zum Strahlungsempfang vorgesehen ist, sowie einen zweiten Funktionsbereich (3), der ein serielles Schieberegister (5) mit einem Dateneingang (51) umfasst und der geeignet ist zur Ansteuerung des ersten Funktionsbereichs (1) beizutragen, wobei der erste Funktionsbereich (1) und der zweite Funktionsbereich (2) auf demselben Trägersubstrat (3) integriert sind. 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