Plasmaverarbeitungsvorrichtung
Plasmaverarbeitungsvorrichtung, umfassend: eine Kammer (2), in die ein Prozessgas eingeführt wird, und in der Plasma, das das Prozessgas beinhaltet, erzeugt wird; ein Basiselement (3), das eine erste Basisseite (33), auf der ein Substrat (10) zu befestigen ist, eine zweite Basisseite (33a), die an e...
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| creator | WAKAMATSU, SADATSUGU ETO, KENJI JIMBO, YOSUKE KAMESAKI, KOJI UCHIDA, HIROTO ASARI, SHIN KIKUCHI, MASASHI |
| description | Plasmaverarbeitungsvorrichtung, umfassend: eine Kammer (2), in die ein Prozessgas eingeführt wird, und in der Plasma, das das Prozessgas beinhaltet, erzeugt wird; ein Basiselement (3), das eine erste Basisseite (33), auf der ein Substrat (10) zu befestigen ist, eine zweite Basisseite (33a), die an einem peripheren Randabschnitt der ersten Basisseite (33) bereitgestellt ist, und einen Basis-Stufe-Differenz-Abschnitt (34), der zwischen der ersten Basisseite (33) und der zweiten Basisseite (33a) bereitgestellt ist, beinhaltet, wobei das Basiselement (3) in der Kammer (2) angeordnet ist; eine Isolierungsplatte (35), die auf der zweiten Basisseite (33a) angeordnet ist und die aus einem Isolierungsmaterial (35) gebildet ist, wobei die Isolierungsplatte eine Höhe aufweist, die kleiner oder gleich dem Abstand von der zweiten Basisseite (33a) zu einer oberen Seite (10a) des Substrats (10), das auf der ersten Basisseite (33) befestigt ist, ist; eine Brauseplatte (5), die eine erste Brauseseite (5a), auf der ein Ejektionsloch (6) gebildet ist, eine zweite Brauseseite (5b), die an einem peripheren Randabschnitt der ersten Brauseseite (5a) bereitgestellt ist, und einen Brause-Stufe-Differenz-Abschnitt (42), der zwischen der ersten Brauseseite (5a) und der zweiten Brauseseite (5b) bereitgestellt ist, beinhaltet, wobei die Brauseplatte (5) das Prozessgas in Richtung des Substrats (10) bereitstellt und die Brauseplatte (5) in der Kammer (2) angeordnet ist; und eine Elektrodenmaske (43), die auf der zweiten Brauseseite (5b) so angeordnet ist, dass sie der Isolierungsplatte (35) gegenüberliegt, und die aus einem Isolierungsmaterial gebildet ist, wobei die Elektrodenmaske (43) eine Höhe auf weist, die kleiner oder gleich dem Abstand von der zweiten Brauseseite (5b) zu der ersten Brauseseite (5a) ist.
Disclosed is a plasma processing apparatus comprising: a base member (3) having a first base surface (33), a second base surface (33a) and a base step portion (34); an insulating plate (35) which is formed from an insulating material and arranged on the second base surface (33a), while having a height equal to or less than the height from the second base surface (33a) to the upper surface (10a) of a substrate (10) that is arranged on the first base surface (33); a shower plate (5) having a first shower surface (5a), a second shower surface (5b) and a shower step portion (42); and an electrode mask (43) which is formed from an insulating material and so arranged on the second sho |
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Disclosed is a plasma processing apparatus comprising: a base member (3) having a first base surface (33), a second base surface (33a) and a base step portion (34); an insulating plate (35) which is formed from an insulating material and arranged on the second base surface (33a), while having a height equal to or less than the height from the second base surface (33a) to the upper surface (10a) of a substrate (10) that is arranged on the first base surface (33); a shower plate (5) having a first shower surface (5a), a second shower surface (5b) and a shower step portion (42); and an electrode mask (43) which is formed from an insulating material and so arranged on the second shower surface (5b) as to face the insulating plate (35), while having a height equal to or less than the height from the second shower surface (5b) to the first shower surface (5a).</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2014</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20140220&DB=EPODOC&CC=DE&NR=112010000717B4$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20140220&DB=EPODOC&CC=DE&NR=112010000717B4$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>WAKAMATSU, SADATSUGU</creatorcontrib><creatorcontrib>ETO, KENJI</creatorcontrib><creatorcontrib>JIMBO, YOSUKE</creatorcontrib><creatorcontrib>KAMESAKI, KOJI</creatorcontrib><creatorcontrib>UCHIDA, HIROTO</creatorcontrib><creatorcontrib>ASARI, SHIN</creatorcontrib><creatorcontrib>KIKUCHI, MASASHI</creatorcontrib><title>Plasmaverarbeitungsvorrichtung</title><description>Plasmaverarbeitungsvorrichtung, umfassend: eine Kammer (2), in die ein Prozessgas eingeführt wird, und in der Plasma, das das Prozessgas beinhaltet, erzeugt wird; ein Basiselement (3), das eine erste Basisseite (33), auf der ein Substrat (10) zu befestigen ist, eine zweite Basisseite (33a), die an einem peripheren Randabschnitt der ersten Basisseite (33) bereitgestellt ist, und einen Basis-Stufe-Differenz-Abschnitt (34), der zwischen der ersten Basisseite (33) und der zweiten Basisseite (33a) bereitgestellt ist, beinhaltet, wobei das Basiselement (3) in der Kammer (2) angeordnet ist; eine Isolierungsplatte (35), die auf der zweiten Basisseite (33a) angeordnet ist und die aus einem Isolierungsmaterial (35) gebildet ist, wobei die Isolierungsplatte eine Höhe aufweist, die kleiner oder gleich dem Abstand von der zweiten Basisseite (33a) zu einer oberen Seite (10a) des Substrats (10), das auf der ersten Basisseite (33) befestigt ist, ist; eine Brauseplatte (5), die eine erste Brauseseite (5a), auf der ein Ejektionsloch (6) gebildet ist, eine zweite Brauseseite (5b), die an einem peripheren Randabschnitt der ersten Brauseseite (5a) bereitgestellt ist, und einen Brause-Stufe-Differenz-Abschnitt (42), der zwischen der ersten Brauseseite (5a) und der zweiten Brauseseite (5b) bereitgestellt ist, beinhaltet, wobei die Brauseplatte (5) das Prozessgas in Richtung des Substrats (10) bereitstellt und die Brauseplatte (5) in der Kammer (2) angeordnet ist; und eine Elektrodenmaske (43), die auf der zweiten Brauseseite (5b) so angeordnet ist, dass sie der Isolierungsplatte (35) gegenüberliegt, und die aus einem Isolierungsmaterial gebildet ist, wobei die Elektrodenmaske (43) eine Höhe auf weist, die kleiner oder gleich dem Abstand von der zweiten Brauseseite (5b) zu der ersten Brauseseite (5a) ist.
Disclosed is a plasma processing apparatus comprising: a base member (3) having a first base surface (33), a second base surface (33a) and a base step portion (34); an insulating plate (35) which is formed from an insulating material and arranged on the second base surface (33a), while having a height equal to or less than the height from the second base surface (33a) to the upper surface (10a) of a substrate (10) that is arranged on the first base surface (33); a shower plate (5) having a first shower surface (5a), a second shower surface (5b) and a shower step portion (42); and an electrode mask (43) which is formed from an insulating material and so arranged on the second shower surface (5b) as to face the insulating plate (35), while having a height equal to or less than the height from the second shower surface (5b) to the first shower surface (5a).</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2014</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZJALyEkszk0sSy1KLEpKzSwpzUsvLssvKspMzgCxeRhY0xJzilN5oTQ3g6qba4izh25qQX58anFBYnJqXmpJvIuroaGRgaEBEJgbmjuZGBOrDgCNcCcJ</recordid><startdate>20140220</startdate><enddate>20140220</enddate><creator>WAKAMATSU, SADATSUGU</creator><creator>ETO, KENJI</creator><creator>JIMBO, YOSUKE</creator><creator>KAMESAKI, KOJI</creator><creator>UCHIDA, HIROTO</creator><creator>ASARI, SHIN</creator><creator>KIKUCHI, MASASHI</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20140220</creationdate><title>Plasmaverarbeitungsvorrichtung</title><author>WAKAMATSU, SADATSUGU ; 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