Forming thin films on multiple semiconductor wafers by high temperature chemical vapor deposition, by controlling temperature profile in direction of gas flow

Wafers (10) are arranged one behind the other in a reaction chamber (1) to which gases are supplied. A control device (12) forms for a first period of time a temperature profile across the spaced-apart wafers using a heating device (2), with a downward gradient in the flow direction of the gas. A temperature profile is then formed for a second period of time with a downward gradient against the flow direction of the gas. During the second period, the gases are supplied to form the thin films by pyrolytic decomposition. An independent claim is included for a further method. Bei einer CVD-Anlage, die eine Reaktionskammer zum Aufnehmen einer Mehrzahl von hintereinander beabstandet angeordneten Halbleiterwafern, eine Gasführung zum Einleiten von Gasen in die Reaktionskammer und zum Führen der Gase an den hintereinander beabstandet angeordneten Halbleiterwafern entlang, eine Heizeinrichtung zum Ausbilden eines Temperaturprofils längs der hintereinander beabstandet angeordneten Halbleiterwafer und eine mit einer der Heizeinrichtung und der Gasführung verbundene Steuereinrichtung aufweist, wird die Beschichtung durch die Steuereinrichtung so ausgeführt, dass ein Temperaturprofil mit einem Temperaturgefälle in Strömungsrichtung der Gase in der Reaktionskammer für eine erste Zeitdauer ausgebildet wird und anschließend das Temperaturprofil mit dem Temperaturgefälle gegen die Strömungsrichtung der Gase in die Reaktionskammer für eine zweite Zeitdauer ausgebildet wird und während dieser zweiten Zeitdauer Gase zum Erzeugen der dünnen Schicht auf der Oberfläche der Halbleiterwafer durch pyrolytische Zersetzung eingeleitet werden.