Verfahren zur nasschemischen Oberflächenbehandlung einer Halbleiterscheibe

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur nasschemischen Oberflächenbehandlung einer Halbleiterscheibe, wobei die Halbleiterscheibe DOLLAR A - mit einer sauren Flüssigkeit behandelt wird, wobei auf jeder Seite der Halbleiterscheibe höchstens 10 mum Material abgetragen wird und danach DOLLAR A...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SCHOEFBERGER, MANFRED, SCHWAB, GUENTER, STADLER, MAXIMILIAN, FRANKE, HELMUT, PALTZER, HELMUT
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur nasschemischen Oberflächenbehandlung einer Halbleiterscheibe, wobei die Halbleiterscheibe DOLLAR A - mit einer sauren Flüssigkeit behandelt wird, wobei auf jeder Seite der Halbleiterscheibe höchstens 10 mum Material abgetragen wird und danach DOLLAR A - mit einer alkalischen Flüssigkeit behandelt wird, wobei wenigstens so viel Material abgetragen wird, dass die durch eine vorangegangene mechanische Bearbeitung geschädigten Kristallbereiche vollständig entfernt werden. The invention relates to a process for the wet-chemical surface treatment of a semiconductor wafer, in which the semiconductor wafer - is treated with an acidic liquid, with at most 10 m of material being removed from each surface of the semiconductor wafer, and then - is treated with an alkaline liquid, with at least sufficient material being removed for the crystal regions which have been damaged by a previous mechanical treatment to be completely removed.