Tunneling magnetoresistive thin layer element for magnetic sensors and magnetic data reading heads has tunnel barrier layer of yttrium oxide

Tunneling magnetoresistive thin layer element for magnetic sensors and magnetic data reading heads has tunnel barrier layer of yttrium oxide

A magnetoresistive thin layer element (2) having an enhanced tunneling magnetoresistive effect comprises two ferromagnetic electrode layers (3,4) of equal magnetic hardness with an isolating tunnel barrier layer (5) between them comprising yttrium oxide. Das magnetoresistive Dünnschichtenelement (2)...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: WECKER, JOACHIM, GIERES, GUENTER, DIMOPOULOS, THEODOROS
Format: Patent
Sprache:eng ; ger
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRICITY
INDUCTANCES
MAGNETS
SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
TRANSFORMERS
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creator WECKER, JOACHIM
GIERES, GUENTER
DIMOPOULOS, THEODOROS
description A magnetoresistive thin layer element (2) having an enhanced tunneling magnetoresistive effect comprises two ferromagnetic electrode layers (3,4) of equal magnetic hardness with an isolating tunnel barrier layer (5) between them comprising yttrium oxide. Das magnetoresistive Dünnschichtenelement (2) zeigt einen gegenüber einem AMR-Effekt erhöhten magnetoresistiven TMR-Effekt. Es weist wenigstens folgende Teile auf, nämlich eine erste Elektrodenschicht (3) aus ferromagnetischem Material mit einer gegenüber einer zweiten Elektrodenschicht (4) aus ferromagnetischem Material vergleichsweise größeren magnetischen Härte, eine zwischen diesen Elektrodenschichten (3, 4) befindliche Zwischenschicht aus isolierendem Material als eine Tunnelbarrierenschicht (5) und elektrische Anschlüsse an den ferromagnetischen Elektrodenschichten (3, 4). Die Tunnelbarrierenschicht (5) soll zumindest zum Teil Yttriumoxid enthalten.
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Das magnetoresistive Dünnschichtenelement (2) zeigt einen gegenüber einem AMR-Effekt erhöhten magnetoresistiven TMR-Effekt. Es weist wenigstens folgende Teile auf, nämlich eine erste Elektrodenschicht (3) aus ferromagnetischem Material mit einer gegenüber einer zweiten Elektrodenschicht (4) aus ferromagnetischem Material vergleichsweise größeren magnetischen Härte, eine zwischen diesen Elektrodenschichten (3, 4) befindliche Zwischenschicht aus isolierendem Material als eine Tunnelbarrierenschicht (5) und elektrische Anschlüsse an den ferromagnetischen Elektrodenschichten (3, 4). 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