Laminated microelectromechanical component, e.g. rotation rate sensor, micro swing mirror, acceleration sensor, comprises electric conductive structure integrated in functional layer

The component substrate (12) has first dielectric layer (11) and functional layer (5), spaced from first layer and/or substrate in free-support region. In sections of this region, conductive structure (13) is integrated into functional layer. Alternatively, conductive structure extends in free-suppo...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: GOMEZ, UDO-MARTIN, ROCZNIK, MARKO, DUENN, CHRISTOPH
Format: Patent
Sprache:eng ; ger
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator GOMEZ, UDO-MARTIN
ROCZNIK, MARKO
DUENN, CHRISTOPH
description The component substrate (12) has first dielectric layer (11) and functional layer (5), spaced from first layer and/or substrate in free-support region. In sections of this region, conductive structure (13) is integrated into functional layer. Alternatively, conductive structure extends in free-support region on functional layer side, facing first dielectric layer. Conduction structure may be coupled by anchoring element to specified contact spots, or conductive structure of first layer. Es wird ein mikroelektromechanisches Bauelement (1) mit einem Substrat (12), einer zumindest bereichsweise über dem Substrat (12) befindlichen ersten, insbesondere dielektrischen Schicht (11) sowie einer Funktionsschicht (5) vorgeschlagen, wobei die Funktionsschicht (5) von der ersten Schicht (11) und/oder dem Substrat (12) beabstandet in einem freitragenden Bereich (20) zumindest weitgehend freitragend ausgeführt ist. Weiter ist in dem freitragenden Bereich (20) eine elektrisch leitende Leiterstruktur (13) in die Funktionsschicht (5) integriert und/oder es verläuft in dem freitragenden Bereich (20) eine elektrisch leitende Leiterstruktur (13) auf der der ersten Schicht (11) zugewandten Seite der Funktionsschicht (5).
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_DE10304835A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>DE10304835A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_DE10304835A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqNjrFuwmAMhLN0QG3fweyAEgUkVlRADIzdI8sxwVLiP_LvgHgxno8_Tbt38ul09_lm2fOMnSg619AJWeCWyS10TFdUIWyBQtcHZfUF8KpZgQVHl6BgqQWRNQZbTGWId9EmabPRQ6KEsyn9FxxxJpEjTK-EkqX1QC63hHNLajAGUefGfoaJwmVQGjFpT4sPto_s7YJt5M_f-57Nj4fvr9OS-1Bx7JFY2av9ocjLfL0tN7ui_E_mBYVTXtA</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>Laminated microelectromechanical component, e.g. rotation rate sensor, micro swing mirror, acceleration sensor, comprises electric conductive structure integrated in functional layer</title><source>esp@cenet</source><creator>GOMEZ, UDO-MARTIN ; ROCZNIK, MARKO ; DUENN, CHRISTOPH</creator><creatorcontrib>GOMEZ, UDO-MARTIN ; ROCZNIK, MARKO ; DUENN, CHRISTOPH</creatorcontrib><description>The component substrate (12) has first dielectric layer (11) and functional layer (5), spaced from first layer and/or substrate in free-support region. In sections of this region, conductive structure (13) is integrated into functional layer. Alternatively, conductive structure extends in free-support region on functional layer side, facing first dielectric layer. Conduction structure may be coupled by anchoring element to specified contact spots, or conductive structure of first layer. Es wird ein mikroelektromechanisches Bauelement (1) mit einem Substrat (12), einer zumindest bereichsweise über dem Substrat (12) befindlichen ersten, insbesondere dielektrischen Schicht (11) sowie einer Funktionsschicht (5) vorgeschlagen, wobei die Funktionsschicht (5) von der ersten Schicht (11) und/oder dem Substrat (12) beabstandet in einem freitragenden Bereich (20) zumindest weitgehend freitragend ausgeführt ist. Weiter ist in dem freitragenden Bereich (20) eine elektrisch leitende Leiterstruktur (13) in die Funktionsschicht (5) integriert und/oder es verläuft in dem freitragenden Bereich (20) eine elektrisch leitende Leiterstruktur (13) auf der der ersten Schicht (11) zugewandten Seite der Funktionsschicht (5).</description><edition>7</edition><language>eng ; ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES ; MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY ; PERFORMING OPERATIONS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TRANSPORTING</subject><creationdate>2004</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20040805&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=10304835A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20040805&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=10304835A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>GOMEZ, UDO-MARTIN</creatorcontrib><creatorcontrib>ROCZNIK, MARKO</creatorcontrib><creatorcontrib>DUENN, CHRISTOPH</creatorcontrib><title>Laminated microelectromechanical component, e.g. rotation rate sensor, micro swing mirror, acceleration sensor, comprises electric conductive structure integrated in functional layer</title><description>The component substrate (12) has first dielectric layer (11) and functional layer (5), spaced from first layer and/or substrate in free-support region. In sections of this region, conductive structure (13) is integrated into functional layer. Alternatively, conductive structure extends in free-support region on functional layer side, facing first dielectric layer. Conduction structure may be coupled by anchoring element to specified contact spots, or conductive structure of first layer. Es wird ein mikroelektromechanisches Bauelement (1) mit einem Substrat (12), einer zumindest bereichsweise über dem Substrat (12) befindlichen ersten, insbesondere dielektrischen Schicht (11) sowie einer Funktionsschicht (5) vorgeschlagen, wobei die Funktionsschicht (5) von der ersten Schicht (11) und/oder dem Substrat (12) beabstandet in einem freitragenden Bereich (20) zumindest weitgehend freitragend ausgeführt ist. Weiter ist in dem freitragenden Bereich (20) eine elektrisch leitende Leiterstruktur (13) in die Funktionsschicht (5) integriert und/oder es verläuft in dem freitragenden Bereich (20) eine elektrisch leitende Leiterstruktur (13) auf der der ersten Schicht (11) zugewandten Seite der Funktionsschicht (5).</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES</subject><subject>MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TRANSPORTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2004</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNjrFuwmAMhLN0QG3fweyAEgUkVlRADIzdI8sxwVLiP_LvgHgxno8_Tbt38ul09_lm2fOMnSg619AJWeCWyS10TFdUIWyBQtcHZfUF8KpZgQVHl6BgqQWRNQZbTGWId9EmabPRQ6KEsyn9FxxxJpEjTK-EkqX1QC63hHNLajAGUefGfoaJwmVQGjFpT4sPto_s7YJt5M_f-57Nj4fvr9OS-1Bx7JFY2av9ocjLfL0tN7ui_E_mBYVTXtA</recordid><startdate>20040805</startdate><enddate>20040805</enddate><creator>GOMEZ, UDO-MARTIN</creator><creator>ROCZNIK, MARKO</creator><creator>DUENN, CHRISTOPH</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20040805</creationdate><title>Laminated microelectromechanical component, e.g. rotation rate sensor, micro swing mirror, acceleration sensor, comprises electric conductive structure integrated in functional layer</title><author>GOMEZ, UDO-MARTIN ; ROCZNIK, MARKO ; DUENN, CHRISTOPH</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE10304835A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; ger</language><creationdate>2004</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES</topic><topic>MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TRANSPORTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>GOMEZ, UDO-MARTIN</creatorcontrib><creatorcontrib>ROCZNIK, MARKO</creatorcontrib><creatorcontrib>DUENN, CHRISTOPH</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>GOMEZ, UDO-MARTIN</au><au>ROCZNIK, MARKO</au><au>DUENN, CHRISTOPH</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Laminated microelectromechanical component, e.g. rotation rate sensor, micro swing mirror, acceleration sensor, comprises electric conductive structure integrated in functional layer</title><date>2004-08-05</date><risdate>2004</risdate><abstract>The component substrate (12) has first dielectric layer (11) and functional layer (5), spaced from first layer and/or substrate in free-support region. In sections of this region, conductive structure (13) is integrated into functional layer. Alternatively, conductive structure extends in free-support region on functional layer side, facing first dielectric layer. Conduction structure may be coupled by anchoring element to specified contact spots, or conductive structure of first layer. Es wird ein mikroelektromechanisches Bauelement (1) mit einem Substrat (12), einer zumindest bereichsweise über dem Substrat (12) befindlichen ersten, insbesondere dielektrischen Schicht (11) sowie einer Funktionsschicht (5) vorgeschlagen, wobei die Funktionsschicht (5) von der ersten Schicht (11) und/oder dem Substrat (12) beabstandet in einem freitragenden Bereich (20) zumindest weitgehend freitragend ausgeführt ist. Weiter ist in dem freitragenden Bereich (20) eine elektrisch leitende Leiterstruktur (13) in die Funktionsschicht (5) integriert und/oder es verläuft in dem freitragenden Bereich (20) eine elektrisch leitende Leiterstruktur (13) auf der der ersten Schicht (11) zugewandten Seite der Funktionsschicht (5).</abstract><edition>7</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; ger
recordid cdi_epo_espacenet_DE10304835A1
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES
MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
PERFORMING OPERATIONS
SEMICONDUCTOR DEVICES
TRANSPORTING
title Laminated microelectromechanical component, e.g. rotation rate sensor, micro swing mirror, acceleration sensor, comprises electric conductive structure integrated in functional layer
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-07T18%3A58%3A48IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=GOMEZ,%20UDO-MARTIN&rft.date=2004-08-05&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EDE10304835A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true