HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EIN GALLIUMNITRIDSUBSTRAT

Ein Herstellungsverfahren für ein Galliumnitridsubstrat (GaN) beinhaltet einen Abziehschicht-Ausbildungsschritt zum Ausbilden einer Abziehschicht in einer Tiefe, die einer Dicke des herzustellenden Galliumnitridsubstrats entspricht, durch relatives Bewegen eines GaN-Ingots und eines Brennpunkts eine...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Nomoto, Asahi
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING CRYSTAL GROWTH CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY MACHINE TOOLS METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR METALLURGY PERFORMING OPERATIONS PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH SOLDERING OR UNSOLDERING TRANSPORTING UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL WELDING WORKING BY LASER BEAM WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
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