HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EIN GALLIUMNITRIDSUBSTRAT

Ein Herstellungsverfahren für ein Galliumnitridsubstrat (GaN) beinhaltet einen Abziehschicht-Ausbildungsschritt zum Ausbilden einer Abziehschicht in einer Tiefe, die einer Dicke des herzustellenden Galliumnitridsubstrats entspricht, durch relatives Bewegen eines GaN-Ingots und eines Brennpunkts eines Laserstrahls mit einer Wellenlänge, die durch GaN übertragbar ist, entlang einer Richtung einer Kristallorientierung des GaN-Ingots, die durch die unten beschriebene Formel (1) wiedergegeben wird, wobei der Brennpunkt im Inneren des GaN-Ingots positioniert ist, und einen Abziehschritt zum Abziehen des GaN-Substrats von dem GaN-Ingot unter Verwendung der Abziehschicht als Ausgangspunkt. Der Abziehschicht-Ausbildungsschritt ist so eingestellt, dass der Laserstrahl geteilt wird, um mehrere Brennpunkte auszubilden, und gerade Linien, die die einzelnen geteilten Brennpunkte verbinden, sich jeweils entlang einer Richtung parallel zu der Richtung der Kristallorientierung erstrecken, die durch die unten beschriebene Formel (1) wiedergegeben wird.〈112¯0〉 A manufacturing method of a gallium nitride (GaN) substrate includes a peeling layer forming step of forming a peeling layer at a depth, which corresponds to a thickness of the gallium nitride substrate to be manufactured, by relatively moving a GaN ingot and a focal point of a laser beam of a wavelength, which transmits through GaN, along a direction of a crystal orientation of the GaN ingot as represented by the below-described formula (1) with the focal point positioned inside the GaN ingot, and a peeling step of peeling the GaN substrate from the GaN ingot using the peeling layer as a start point. The peeling layer forming step is set such that the laser beam is split to form a plurality of focal points and straight lines connecting the individual split focal points each extend along a direction parallel to the direction of the crystal orientation represented by the below-described formula (1).1 1 2 0 Formula (1)