BEARBEITUNGSVERFAHREN EINES SUBSTRATS UND HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR CHIPS
Ein Bearbeitungsverfahren eines Substrats führt eine Bearbeitung unter Verwendung eines Laserstrahls durch, der eine Wellenlänge hat, die durch ein das Substrat bildendes Material transmittiert und in einem Bereich fokussiert ist, der entlang einer Dickenrichtung des Substrats länger ist als eine Br...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | Ein Bearbeitungsverfahren eines Substrats führt eine Bearbeitung unter Verwendung eines Laserstrahls durch, der eine Wellenlänge hat, die durch ein das Substrat bildendes Material transmittiert und in einem Bereich fokussiert ist, der entlang einer Dickenrichtung des Substrats länger ist als eine Breite entlang einer Richtung senkrecht zur Dickenrichtung. Das Bearbeitungsverfahren weist einen Abschirmtunnel-Bildungsschritt zum Bilden von Abschirmtunneln auf, von denen jeder eine Feinporenöffnung in mindestens einer vorderen Oberfläche oder einer hinteren Oberfläche des Substrats und einen amorphen Abschnitt, der die Feinpore umgibt, aufweist, indem der Laserstrahl auf das Substrat derart angewendet wird, dass mindestens ein Teil des Bereichs innerhalb des Substrats positioniert ist, und einen Funktionsschicht-Ausbildungsschritt, bei dem nach dem Abschirmtunnel-Ausbildungsschritt eine Funktionsschicht auf der vorderen Oberfläche gebildet wird. Ein Verfahren zur Herstellung von Chips wird ebenfalls offenbart.
A processing method of a substrate performs processing using a laser beam having a wavelength that transmits through a material constituting the substrate and focused in a region of a greater length along a thickness direction of the substrate than a width along a direction perpendicular to the thickness direction. The processing method includes a shield tunnel forming step of forming shield tunnels, each of which includes a fine pore opening in at least one of a front surface or a back surface of the substrate and an amorphous portion surrounding the fine pore, by applying the laser beam to the substrate such that at least a part of the region is positioned inside the substrate, and a function layer forming step of, after the shield tunnel forming step, forming a function layer on the front surface. A manufacturing method of chips is also disclosed. |
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