INTEGRIERTER SCHALTKREIS UND VERFAHREN ZU SEINER BILDUNG

Ein Flipflop umfasst eine erste, eine zweite, eine dritte und eine vierte aktive Region, die sich in einer ersten Richtung erstrecken und sich auf einer ersten Ebene eines Substrats befinden. Die erste aktive Region entspricht einem ersten Satz Transistoren eines ersten Typs. Die zweite aktive Region entspricht einem zweiten Satz Transistoren eines zweiten Typs, der von dem ersten Typ verschieden ist. Die dritte aktive Region entspricht einem dritten Satz Transistoren des zweiten Typs. Die vierte aktive Region entspricht einem vierten Satz Transistoren des ersten Typs. Der Flipflop umfasst des Weiteren eine erste Gate-Struktur, die sich in der zweiten Richtung erstreckt, mindestens die zweite aktive Region und die dritte aktive Region überlappt, und sich auf einer zweiten Ebene befindet, die von der ersten Ebene verschieden ist. Die erste Gate-Struktur ist dazu eingerichtet, ein erstes Taktsignal zu empfangen. A flip-flop includes a first, second, third and a fourth active region extending in a first direction, and being on a first level of a substrate. The first active region corresponds to a first set of transistors of a first type. The second active region corresponds to a second set of transistors of a second type different from the first type. The third active region corresponds to a third set of transistors of the second type. The fourth active region corresponds to a fourth set of transistors of the first type. The flip-flop further includes a first gate structure extending in the second direction, overlapping at least the second active region and the third active region, and being on a second level different from the first level. The first gate structure is configured to receive a first clock signal.