Verbesserte Endpunkt-Erkennung eines Halbleiterätzvorgangs

Verbesserte Endpunkt-Erkennung eines Halbleiterätzvorgangs

Offenbart ist ein Verfahren zur Endpunkt-Erkennung eines Halbleiterätzvorgangs, wobei mindestens eine Unterschicht auf ein Substrat abgeschieden wird, die Unterschicht in einem lokalen Bereich von mindestens einer durch den Halbleiterätzvorgang zu strukturierenden Struktur mit einer Markierung verse...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Koppitz, Daniel, Thieringer, Cornelia, Held, Carmen, I Tomas, Rafel Ferre
Format: Patent
Sprache:ger
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
PERFORMING OPERATIONS
PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
SEMICONDUCTOR DEVICES
TRANSPORTING
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creator Koppitz, Daniel
Thieringer, Cornelia
Held, Carmen
I Tomas, Rafel Ferre
description Offenbart ist ein Verfahren zur Endpunkt-Erkennung eines Halbleiterätzvorgangs, wobei mindestens eine Unterschicht auf ein Substrat abgeschieden wird, die Unterschicht in einem lokalen Bereich von mindestens einer durch den Halbleiterätzvorgang zu strukturierenden Struktur mit einer Markierung versehen wird, mindestens eine durch den Halbleiterätzvorgang zu strukturierende Schicht abgeschieden oder angeordnet wird, die zu strukturierende Schicht mit einer Ätzmaske bedeckt und der Halbleiterätzvorgang zum Herstellen von mindestens einer Struktur in der zu strukturierenden Schicht eingeleitet wird, ein Freilegen und/oder eine Wechselwirkung des Halbleiterätzvorgangs mit der Markierung ermittelt und der Halbleiterätzvorgang gestoppt wird.
format Patent
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