Verfahren zum Erzeugen eines elektrischen Kontaktes, Halbleiteranordnung und Halbleiterbauelement

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen eines elektrischen Kontaktes zwischen einer Siliziumkarbid aufweisenden Halbleiterschicht (130) und einer Nickel aufweisenden Metallschicht (120), umfassend: Aufbringen der Metallschicht (120) auf die Halbleiterschicht (130), um ein erstes Zwischenpr...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Muench, Torsten, Single, Christof, Alsmeier, Jan-Hendrik, Banzhaf, Christian Tobias, Puesche, Roland, Neubauer, Matthias
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen eines elektrischen Kontaktes zwischen einer Siliziumkarbid aufweisenden Halbleiterschicht (130) und einer Nickel aufweisenden Metallschicht (120), umfassend: Aufbringen der Metallschicht (120) auf die Halbleiterschicht (130), um ein erstes Zwischenprodukt zu erhalten, Durchführen einer Wärmebehandlung des ersten Zwischenproduktes, um ein zweites Zwischenprodukt zu erhalten, und Durchführen einer Plasmabehandlung des zweiten Zwischenproduktes. Die Erfindung betrifft auch eine Halbleiteranordnung (100) und ein Halbleiterbauelement.