HOCHFREQUENZSCHALTER

Ein drahtloses Kommunikationsgerät kann eine Schalter-Schaltungsanordnung enthalten. Die Schalter-Schaltungsanordnung kann Stapel mit einem gemeinsamen Gate-Knoten und einem gemeinsamen Body-Knoten enthalten, wobei ein Stapel einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) mit einem Body-Widerstandselement, das mit einem Body-Anschluss des MOSFET und dem gemeinsamen Body-Knoten gekoppelt ist, und einem Gate-Widerstandselement, das mit einem Gate-Anschluss des MOSFET und dem gemeinsamen Gate-Knoten gekoppelt ist, enthält. Die Schalter-Schaltungsanordnung kann ferner einen selbstvorgespannten MOSFET enthalten, der mit dem gemeinsamen Gate-Knoten und dem gemeinsamen Body-Knoten verbunden ist, wobei ein Gate des selbstvorgespannten MOSFET so ausgebildet ist, dass es eine Gleichstromvorspannung mit einem Tiefpassfilter erhält. A wireless communication device can include switch circuitry. The switch circuitry can include stacks having a common gate node and a common body node, wherein a stack includes a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) having a body resistive element coupled to a body terminal of the MOSFET and the common body node a gate resistive element coupled to a gate terminal of the MOSFET and the common gate node. The switch circuitry can further include a self-biased MOSFET coupled to the common gate node and the common body node, a gate of the self-biased MOSFET configured to receive direct current (DC) bias with a low pass filter.