ROHMASKE UND FOTOMASKE UNTER VERWENDUNG DIESER ROHMASKE
Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Rohmaske und dergleichen und umfasst ein transparentes Substrat und einen Lichtabschirmfilm, der auf dem transparenten Substrat angeordnet ist. Der Lichtabschirmfilm umfasst ein Übergangsmetall und mindestens eines der Elemente Sauerstoff und/oder Stickstoff...
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| description | Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Rohmaske und dergleichen und umfasst ein transparentes Substrat und einen Lichtabschirmfilm, der auf dem transparenten Substrat angeordnet ist. Der Lichtabschirmfilm umfasst ein Übergangsmetall und mindestens eines der Elemente Sauerstoff und/oder Stickstoff. Eine Oberfläche des Lichtabschirmfilms umfasst neun durch vertikales und horizontales Trisektieren der Oberfläche des Lichtabschirmfilms gebildete Sektoren. Die Oberfläche des Lichtabschirmfilms weist neun jeweils in einem entsprechenden der neun Sektoren gemessene Rsk-Werte auf und ein Durchschnittswert der neun Rsk-Werte ist größer oder gleich 0,64 und kleiner oder gleich 0. Die Oberfläche des Lichtabschirmfilms weist neun jeweils in einem entsprechenden der neun Sektoren gemessene Rku-Werte auf und ein Durchschnittswert der Rku-Werte ist kleiner oder gleich 3.Eine solche Rohmaske und dergleichen können einen Lichtabschirmfilm umfassen, dessen Oberfläche wirksam an der Bildung von Pseudodefekten gehindert wird. Gleichzeitig kann das Detektieren von Defekten des Lichtabschirmfilms einfacher sein, wenn ein hochempfindlicher Defekttest am Film durchgeführt wird.
Disclosed is a blank mask including a transparent substrate and a light shielding film disposed on the transparent substrate, wherein the light shielding film includes a transition metal and at least one selected from the group consisting of oxygen and nitrogen, wherein when a surface of the light shielding film includes nine sectors formed by trisecting the surface of the light shielding film vertically and horizontally, each of the nine sectors has a Rsk value, respectively, and an average value of the Rsk values of the nine sectors is equal to −0.64 or more and less than or equal to 0, where Rsk value is a height symmetry of the surface of the light shielding film measured in accordance with ISO_4287, and wherein an average value of Rku values, which are kurtosis of the surface of the light shielding film measured in accordance with ISO_4287, of the nine sectors is 3 or less. |
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Disclosed is a blank mask including a transparent substrate and a light shielding film disposed on the transparent substrate, wherein the light shielding film includes a transition metal and at least one selected from the group consisting of oxygen and nitrogen, wherein when a surface of the light shielding film includes nine sectors formed by trisecting the surface of the light shielding film vertically and horizontally, each of the nine sectors has a Rsk value, respectively, and an average value of the Rsk values of the nine sectors is equal to −0.64 or more and less than or equal to 0, where Rsk value is a height symmetry of the surface of the light shielding film measured in accordance with ISO_4287, and wherein an average value of Rku values, which are kurtosis of the surface of the light shielding film measured in accordance with ISO_4287, of the nine sectors is 3 or less.</description><language>ger</language><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CINEMATOGRAPHY ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; ELECTROGRAPHY ; HOLOGRAPHY ; MATERIALS THEREFOR ; ORIGINALS THEREFOR ; PHOTOGRAPHY ; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES ; PHYSICS ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2023</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230119&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102022117224A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230119&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102022117224A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Choi, Suk Young</creatorcontrib><creatorcontrib>Shin, Inkyun</creatorcontrib><creatorcontrib>Lee, Hyung-joo</creatorcontrib><creatorcontrib>Son, Sung Hoon</creatorcontrib><creatorcontrib>Kim, Seong Yoon</creatorcontrib><creatorcontrib>Kim, Taewan</creatorcontrib><creatorcontrib>Kim, Suhyeon</creatorcontrib><creatorcontrib>Jeong, Min Gyo</creatorcontrib><creatorcontrib>Lee, GeonGon</creatorcontrib><creatorcontrib>Cho, Hahyeon</creatorcontrib><title>ROHMASKE UND FOTOMASKE UNTER VERWENDUNG DIESER ROHMASKE</title><description>Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Rohmaske und dergleichen und umfasst ein transparentes Substrat und einen Lichtabschirmfilm, der auf dem transparenten Substrat angeordnet ist. Der Lichtabschirmfilm umfasst ein Übergangsmetall und mindestens eines der Elemente Sauerstoff und/oder Stickstoff. Eine Oberfläche des Lichtabschirmfilms umfasst neun durch vertikales und horizontales Trisektieren der Oberfläche des Lichtabschirmfilms gebildete Sektoren. Die Oberfläche des Lichtabschirmfilms weist neun jeweils in einem entsprechenden der neun Sektoren gemessene Rsk-Werte auf und ein Durchschnittswert der neun Rsk-Werte ist größer oder gleich 0,64 und kleiner oder gleich 0. Die Oberfläche des Lichtabschirmfilms weist neun jeweils in einem entsprechenden der neun Sektoren gemessene Rku-Werte auf und ein Durchschnittswert der Rku-Werte ist kleiner oder gleich 3.Eine solche Rohmaske und dergleichen können einen Lichtabschirmfilm umfassen, dessen Oberfläche wirksam an der Bildung von Pseudodefekten gehindert wird. Gleichzeitig kann das Detektieren von Defekten des Lichtabschirmfilms einfacher sein, wenn ein hochempfindlicher Defekttest am Film durchgeführt wird.
Disclosed is a blank mask including a transparent substrate and a light shielding film disposed on the transparent substrate, wherein the light shielding film includes a transition metal and at least one selected from the group consisting of oxygen and nitrogen, wherein when a surface of the light shielding film includes nine sectors formed by trisecting the surface of the light shielding film vertically and horizontally, each of the nine sectors has a Rsk value, respectively, and an average value of the Rsk values of the nine sectors is equal to −0.64 or more and less than or equal to 0, where Rsk value is a height symmetry of the surface of the light shielding film measured in accordance with ISO_4287, and wherein an average value of Rku values, which are kurtosis of the surface of the light shielding film measured in accordance with ISO_4287, of the nine sectors is 3 or less.</description><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CINEMATOGRAPHY</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>ELECTROGRAPHY</subject><subject>HOLOGRAPHY</subject><subject>MATERIALS THEREFOR</subject><subject>ORIGINALS THEREFOR</subject><subject>PHOTOGRAPHY</subject><subject>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2023</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDAP8vfwdQz2dlUI9XNRcPMP8YfxQlyDFMJcg8Jd_VxC_dwVXDxdg4EiMOU8DKxpiTnFqbxQmptB1c01xNlDN7UgPz61uCAxOTUvtSTexdXQwMjAyMjQ0NzIyMTR0JhYdQCStSnb</recordid><startdate>20230119</startdate><enddate>20230119</enddate><creator>Choi, Suk Young</creator><creator>Shin, Inkyun</creator><creator>Lee, Hyung-joo</creator><creator>Son, Sung Hoon</creator><creator>Kim, Seong Yoon</creator><creator>Kim, Taewan</creator><creator>Kim, Suhyeon</creator><creator>Jeong, Min Gyo</creator><creator>Lee, GeonGon</creator><creator>Cho, Hahyeon</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20230119</creationdate><title>ROHMASKE UND FOTOMASKE UNTER VERWENDUNG DIESER ROHMASKE</title><author>Choi, Suk Young ; Shin, Inkyun ; Lee, Hyung-joo ; Son, Sung Hoon ; Kim, Seong Yoon ; Kim, Taewan ; Kim, Suhyeon ; Jeong, Min Gyo ; Lee, GeonGon ; Cho, Hahyeon</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102022117224A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2023</creationdate><topic>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</topic><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CINEMATOGRAPHY</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>ELECTROGRAPHY</topic><topic>HOLOGRAPHY</topic><topic>MATERIALS THEREFOR</topic><topic>ORIGINALS THEREFOR</topic><topic>PHOTOGRAPHY</topic><topic>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Choi, Suk Young</creatorcontrib><creatorcontrib>Shin, Inkyun</creatorcontrib><creatorcontrib>Lee, Hyung-joo</creatorcontrib><creatorcontrib>Son, Sung Hoon</creatorcontrib><creatorcontrib>Kim, Seong Yoon</creatorcontrib><creatorcontrib>Kim, Taewan</creatorcontrib><creatorcontrib>Kim, Suhyeon</creatorcontrib><creatorcontrib>Jeong, Min Gyo</creatorcontrib><creatorcontrib>Lee, GeonGon</creatorcontrib><creatorcontrib>Cho, Hahyeon</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Choi, Suk Young</au><au>Shin, Inkyun</au><au>Lee, Hyung-joo</au><au>Son, Sung Hoon</au><au>Kim, Seong Yoon</au><au>Kim, Taewan</au><au>Kim, Suhyeon</au><au>Jeong, Min Gyo</au><au>Lee, GeonGon</au><au>Cho, Hahyeon</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>ROHMASKE UND FOTOMASKE UNTER VERWENDUNG DIESER ROHMASKE</title><date>2023-01-19</date><risdate>2023</risdate><abstract>Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Rohmaske und dergleichen und umfasst ein transparentes Substrat und einen Lichtabschirmfilm, der auf dem transparenten Substrat angeordnet ist. Der Lichtabschirmfilm umfasst ein Übergangsmetall und mindestens eines der Elemente Sauerstoff und/oder Stickstoff. Eine Oberfläche des Lichtabschirmfilms umfasst neun durch vertikales und horizontales Trisektieren der Oberfläche des Lichtabschirmfilms gebildete Sektoren. Die Oberfläche des Lichtabschirmfilms weist neun jeweils in einem entsprechenden der neun Sektoren gemessene Rsk-Werte auf und ein Durchschnittswert der neun Rsk-Werte ist größer oder gleich 0,64 und kleiner oder gleich 0. Die Oberfläche des Lichtabschirmfilms weist neun jeweils in einem entsprechenden der neun Sektoren gemessene Rku-Werte auf und ein Durchschnittswert der Rku-Werte ist kleiner oder gleich 3.Eine solche Rohmaske und dergleichen können einen Lichtabschirmfilm umfassen, dessen Oberfläche wirksam an der Bildung von Pseudodefekten gehindert wird. Gleichzeitig kann das Detektieren von Defekten des Lichtabschirmfilms einfacher sein, wenn ein hochempfindlicher Defekttest am Film durchgeführt wird.
Disclosed is a blank mask including a transparent substrate and a light shielding film disposed on the transparent substrate, wherein the light shielding film includes a transition metal and at least one selected from the group consisting of oxygen and nitrogen, wherein when a surface of the light shielding film includes nine sectors formed by trisecting the surface of the light shielding film vertically and horizontally, each of the nine sectors has a Rsk value, respectively, and an average value of the Rsk values of the nine sectors is equal to −0.64 or more and less than or equal to 0, where Rsk value is a height symmetry of the surface of the light shielding film measured in accordance with ISO_4287, and wherein an average value of Rku values, which are kurtosis of the surface of the light shielding film measured in accordance with ISO_4287, of the nine sectors is 3 or less.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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