PECVD Beschichtungsverfahren

Die vorliegende Erfindung betrifft ein PECVD Beschichtungsverfahren zur PECVD Beschichtung von plattenförmigen Substraten, insbesondere von Solarwafern, wobei das Substrat während der PECVD-Beschichtung auf wenigstens einem Substratträger mit einer plattenförmigen Grundform mit wenigstens einem auf...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Papet, Pierre, Frammelsberger, Walter, Legradic, Boris
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die vorliegende Erfindung betrifft ein PECVD Beschichtungsverfahren zur PECVD Beschichtung von plattenförmigen Substraten, insbesondere von Solarwafern, wobei das Substrat während der PECVD-Beschichtung auf wenigstens einem Substratträger mit einer plattenförmigen Grundform mit wenigstens einem auf der Oberfläche des Substratträgers ausgebildeten Substratnest aufliegt, wobei das Substratnest wenigstens eine relativ zu der Substratfläche kleine, als Abstandshalter dienende Substratauflage aufweist, um nicht auf dem Abstandshalter aufliegende Oberflächenbereiche des Substrates in einem Abstand zum Substratträger zu halten, und wobei konstante Abstände zwischen dem Substratträger und dem Substrat homogene Beschichtungsraten auf dem Substrat in dem PECVD-Beschichtungsverfahren bewirken. Die Aufgabe, eine homogene Beschichtung zu erreichen, wird dadurcgh gelöst, dass während der PECVD-Beschichtung ein Substratträger mit einer Substratnestwölbung verwendet wird, wobei die Substratnestwölbung ähnlich der Substratwölbung ist, welche aus einem Durchhängen von nicht auf der Substratauflage aufliegenden Bereichen des Substrates resultiert.