VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR MILDERUNG VON LESESTÖRUNGEN VON HEISSELEKTRONEN IN 3D NAND VORRICHTUNGEN

Vorrichtung, Verfahren und System. Das Verfahren umfasst: Implementieren einer Löschoperation an einem Deck eines Superblocks, Blocks oder Subblocks einer dreidimensionalen (3D) nicht flüchtigen Speichervorrichtung, um ein gelöschtes Deck zu erhalten; Anlegen eines Dummy-Leseimpulses an eine oder me...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Fastow, Richard M, Joshi, Amol R, Parat, Krishna, Yu, Xuehong, Ramanan, Narayanan, Cao, Wei, Kim, Hyungseok, Sun, Xin
Format: Patent
Sprache:ger
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:Vorrichtung, Verfahren und System. Das Verfahren umfasst: Implementieren einer Löschoperation an einem Deck eines Superblocks, Blocks oder Subblocks einer dreidimensionalen (3D) nicht flüchtigen Speichervorrichtung, um ein gelöschtes Deck zu erhalten; Anlegen eines Dummy-Leseimpulses an eine oder mehrere Wortleitungen (WLs) eines zu lesenden Decks des Superblocks, Blocks oder Subblocks; und Implementieren, nach dem Anlegen des Dummy-Leseimpulses, einer Leseoperation an einer oder mehreren Speicherzellen entsprechend der einen oder den mehreren WLs, um Daten aus der einen oder den mehreren Speicherzellen zu lesen. An apparatus, a method, and a system. The method includes implementing an erase operation on a deck of a superblock, block or subblock of a three-dimensional (3D) non-volatile memory device to obtain an erased deck; applying a dummy read pulse to one or more wordlines (WLs) of a to-be-read deck of the superblock, block or subblock; and implementing, after application of the dummy read pulse, a read operation on one or more memory cells corresponding to the one or more WLs to read data from the one or more memory cells.