Werkstückträger, System und Betriebsverfahren für PECVD
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Werkstückträger (1) für ein System (50) zur plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung, ein solches System (50) sowie ein Betriebsverfahren (100) für ein solches System (50). Der Werkstückträger (1) ist zum Erzeugen eines Plasmas aus einem den Werkst...
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| Format: | Patent |
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| creator | Fuchs, Jens-Uwe Tröller, Mirko Reize, Ralf Leichtle, Roland |
| description | Die vorliegende Erfindung betrifft einen Werkstückträger (1) für ein System (50) zur plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung, ein solches System (50) sowie ein Betriebsverfahren (100) für ein solches System (50). Der Werkstückträger (1) ist zum Erzeugen eines Plasmas aus einem den Werkstückträger (1) umgebenden Prozessgas eingerichtet. Erfindungsgemäß ist der Werkstückträger (1) auch zum Aufheizen einer Umgebung des Werkstückträgers (1) auf eine zur Gasphasenabscheidung vorgesehene Prozesstemperatur eingerichtet.
A workpiece holder for a plasma-enhanced chemical vapor deposition system is configured to produce a plasma from a process gas surrounding the workpiece holder. The workpiece holder is also configured to heat the surroundings of the workpiece holder to a process temperature provided for the vapor deposition. A chemical vapor deposition system and an operating method for the system are also provided. |
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A workpiece holder for a plasma-enhanced chemical vapor deposition system is configured to produce a plasma from a process gas surrounding the workpiece holder. The workpiece holder is also configured to heat the surroundings of the workpiece holder to a process temperature provided for the vapor deposition. A chemical vapor deposition system and an operating method for the system are also provided.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2022</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20220317&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102020124022A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76294</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20220317&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102020124022A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Fuchs, Jens-Uwe</creatorcontrib><creatorcontrib>Tröller, Mirko</creatorcontrib><creatorcontrib>Reize, Ralf</creatorcontrib><creatorcontrib>Leichtle, Roland</creatorcontrib><title>Werkstückträger, System und Betriebsverfahren für PECVD</title><description>Die vorliegende Erfindung betrifft einen Werkstückträger (1) für ein System (50) zur plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung, ein solches System (50) sowie ein Betriebsverfahren (100) für ein solches System (50). Der Werkstückträger (1) ist zum Erzeugen eines Plasmas aus einem den Werkstückträger (1) umgebenden Prozessgas eingerichtet. Erfindungsgemäß ist der Werkstückträger (1) auch zum Aufheizen einer Umgebung des Werkstückträgers (1) auf eine zur Gasphasenabscheidung vorgesehene Prozesstemperatur eingerichtet.
A workpiece holder for a plasma-enhanced chemical vapor deposition system is configured to produce a plasma from a process gas surrounding the workpiece holder. The workpiece holder is also configured to heat the surroundings of the workpiece holder to a process temperature provided for the vapor deposition. A chemical vapor deposition system and an operating method for the system are also provided.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2022</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLAKTy3KLi45vCc5u6To8JL01CIdheDK4pLUXIXSvBQFp9SSoszUpOKy1KK0xIyi1DyFtMN7ihQCXJ3DXHgYWNMSc4pTeaE0N4Oqm2uIs4duakF-fGpxQWJyal5qSbyLq6GBERAaGpkYGBk5GhoTqw4A4dwyJQ</recordid><startdate>20220317</startdate><enddate>20220317</enddate><creator>Fuchs, Jens-Uwe</creator><creator>Tröller, Mirko</creator><creator>Reize, Ralf</creator><creator>Leichtle, Roland</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20220317</creationdate><title>Werkstückträger, System und Betriebsverfahren für PECVD</title><author>Fuchs, Jens-Uwe ; Tröller, Mirko ; Reize, Ralf ; Leichtle, Roland</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102020124022A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2022</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Fuchs, Jens-Uwe</creatorcontrib><creatorcontrib>Tröller, Mirko</creatorcontrib><creatorcontrib>Reize, Ralf</creatorcontrib><creatorcontrib>Leichtle, Roland</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Fuchs, Jens-Uwe</au><au>Tröller, Mirko</au><au>Reize, Ralf</au><au>Leichtle, Roland</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Werkstückträger, System und Betriebsverfahren für PECVD</title><date>2022-03-17</date><risdate>2022</risdate><abstract>Die vorliegende Erfindung betrifft einen Werkstückträger (1) für ein System (50) zur plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung, ein solches System (50) sowie ein Betriebsverfahren (100) für ein solches System (50). Der Werkstückträger (1) ist zum Erzeugen eines Plasmas aus einem den Werkstückträger (1) umgebenden Prozessgas eingerichtet. Erfindungsgemäß ist der Werkstückträger (1) auch zum Aufheizen einer Umgebung des Werkstückträgers (1) auf eine zur Gasphasenabscheidung vorgesehene Prozesstemperatur eingerichtet.
A workpiece holder for a plasma-enhanced chemical vapor deposition system is configured to produce a plasma from a process gas surrounding the workpiece holder. The workpiece holder is also configured to heat the surroundings of the workpiece holder to a process temperature provided for the vapor deposition. A chemical vapor deposition system and an operating method for the system are also provided.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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