Gehäustes IC-Bauelement

Gehäustes IC-Bauelement

Gehäustes IC-Bauelement (100) mit einer Oberseite, einer Unterseite und die Oberseite mit der Unterseite verbindenden Seitenflächen, aufweisend- einen mehrteiligen metallischen Träger (10) mit einer Oberseite, einer Unterseite und die Oberseite mit der Unterseite verbindende Seitenflächen,- einen st...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: Stumpf, Pascal, Joos, Christian, Franke, Jörg, Leneke, Thomas, Dr, Steiert, Matthias, Dr, Kunze, Mike, Dr
Format: Patent
Sprache:ger
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator Stumpf, Pascal
Joos, Christian
Franke, Jörg
Leneke, Thomas, Dr
Steiert, Matthias, Dr
Kunze, Mike, Dr
description Gehäustes IC-Bauelement (100) mit einer Oberseite, einer Unterseite und die Oberseite mit der Unterseite verbindenden Seitenflächen, aufweisend- einen mehrteiligen metallischen Träger (10) mit einer Oberseite, einer Unterseite und die Oberseite mit der Unterseite verbindende Seitenflächen,- einen stoffschlüssig mit der Oberseite des Trägers (10) verbundenen Halbleiterkörper (20) mit einer monolithisch integrierten Schaltung und mindestens zwei elektrischen Kontaktflächen (22), wobei- die Oberseite des Trägers (10) mindestens zwei erste Kontaktbereiche und mindestens zwei zweite Kontaktbereiche aufweist,- die Kontaktflächen (22) des Halbleiterkörpers (20) jeweils mit einem der ersten Kontaktbereiche des Trägers (10) elektrisch leitfähig verbunden sind,- die Unterseite des IC-Bauelements (100) von der Unterseite des Trägers (10) und einer Vergussmasse (30) ausgebildet wird,- die Seitenflächen des IC-Bauelements (100) von Teilen der Seitenflächen des Trägers (10) und von der Vergussmasse (30) ausgebildet werden,- die zweiten Kontaktbereiche des Trägers (10) jeweils ein durch den Träger (10) hindurch reichendes Durchgangsloch (12) umfassen,- ein den Halbleiterkörper (20) und die ersten Kontaktbereiche des Trägers (10) umfassender Bereich der Oberseite des Trägers (10) von Vergussmasse (30) bedeckt ist und- ein die zweiten Kontaktbereiche umfassender Bereich der Oberseite des Trägers (10) frei von Vergussmasse (30) ist, wobei die Oberseite des IC-Bauelements (100) von der Vergussmasse (30) und den zweiten Kontaktbereichen ausgebildet wird, wobei- die Unterseite des Trägers (10) und/oder die Oberseite des Trägers (10) mindestens eine mit Vergussmasse (30) ausgefüllte Vertiefung aufweist und jeweils freiliegende Oberflächenbereiche der zweiten Kontaktbereiche durch die Vergussmasse (30) in der Vertiefung begrenzt sind, und- die zweiten Kontaktbereiche des Trägers (10) mindestens eine von der Vergussmasse (30) bedeckte Stufe (16) aufweisen, wobei die von der Vergussmasse (30) bedeckte Stufe (16) an der Unterseite des Trägers (10) ausgebildet ist, und- die Vergussmasse (30) an einem seitlichen Ende des zweiten Kontaktbereiches des Träges (10), das einen Teil der Seitenfläche bildet, eine in der Dicke des Trägers (10) ausgebildete Dicke aufweist.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_DE102020000100B4</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>DE102020000100B4</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_DE102020000100B43</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZJBwT804vKS0uCS1WMHTWdcpsTQ1JzU3Na-Eh4E1LTGnOJUXSnMzqLq5hjh76KYW5MenFhckJqfmpZbEu7gaGhgBIRAYGhg4mRgTqw4AGxMj1w</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>Gehäustes IC-Bauelement</title><source>esp@cenet</source><creator>Stumpf, Pascal ; Joos, Christian ; Franke, Jörg ; Leneke, Thomas, Dr ; Steiert, Matthias, Dr ; Kunze, Mike, Dr</creator><creatorcontrib>Stumpf, Pascal ; Joos, Christian ; Franke, Jörg ; Leneke, Thomas, Dr ; Steiert, Matthias, Dr ; Kunze, Mike, Dr</creatorcontrib><description>Gehäustes IC-Bauelement (100) mit einer Oberseite, einer Unterseite und die Oberseite mit der Unterseite verbindenden Seitenflächen, aufweisend- einen mehrteiligen metallischen Träger (10) mit einer Oberseite, einer Unterseite und die Oberseite mit der Unterseite verbindende Seitenflächen,- einen stoffschlüssig mit der Oberseite des Trägers (10) verbundenen Halbleiterkörper (20) mit einer monolithisch integrierten Schaltung und mindestens zwei elektrischen Kontaktflächen (22), wobei- die Oberseite des Trägers (10) mindestens zwei erste Kontaktbereiche und mindestens zwei zweite Kontaktbereiche aufweist,- die Kontaktflächen (22) des Halbleiterkörpers (20) jeweils mit einem der ersten Kontaktbereiche des Trägers (10) elektrisch leitfähig verbunden sind,- die Unterseite des IC-Bauelements (100) von der Unterseite des Trägers (10) und einer Vergussmasse (30) ausgebildet wird,- die Seitenflächen des IC-Bauelements (100) von Teilen der Seitenflächen des Trägers (10) und von der Vergussmasse (30) ausgebildet werden,- die zweiten Kontaktbereiche des Trägers (10) jeweils ein durch den Träger (10) hindurch reichendes Durchgangsloch (12) umfassen,- ein den Halbleiterkörper (20) und die ersten Kontaktbereiche des Trägers (10) umfassender Bereich der Oberseite des Trägers (10) von Vergussmasse (30) bedeckt ist und- ein die zweiten Kontaktbereiche umfassender Bereich der Oberseite des Trägers (10) frei von Vergussmasse (30) ist, wobei die Oberseite des IC-Bauelements (100) von der Vergussmasse (30) und den zweiten Kontaktbereichen ausgebildet wird, wobei- die Unterseite des Trägers (10) und/oder die Oberseite des Trägers (10) mindestens eine mit Vergussmasse (30) ausgefüllte Vertiefung aufweist und jeweils freiliegende Oberflächenbereiche der zweiten Kontaktbereiche durch die Vergussmasse (30) in der Vertiefung begrenzt sind, und- die zweiten Kontaktbereiche des Trägers (10) mindestens eine von der Vergussmasse (30) bedeckte Stufe (16) aufweisen, wobei die von der Vergussmasse (30) bedeckte Stufe (16) an der Unterseite des Trägers (10) ausgebildet ist, und- die Vergussmasse (30) an einem seitlichen Ende des zweiten Kontaktbereiches des Träges (10), das einen Teil der Seitenfläche bildet, eine in der Dicke des Trägers (10) ausgebildete Dicke aufweist.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20240919&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=102020000100B4$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,777,882,25546,76297</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20240919&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=102020000100B4$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Stumpf, Pascal</creatorcontrib><creatorcontrib>Joos, Christian</creatorcontrib><creatorcontrib>Franke, Jörg</creatorcontrib><creatorcontrib>Leneke, Thomas, Dr</creatorcontrib><creatorcontrib>Steiert, Matthias, Dr</creatorcontrib><creatorcontrib>Kunze, Mike, Dr</creatorcontrib><title>Gehäustes IC-Bauelement</title><description>Gehäustes IC-Bauelement (100) mit einer Oberseite, einer Unterseite und die Oberseite mit der Unterseite verbindenden Seitenflächen, aufweisend- einen mehrteiligen metallischen Träger (10) mit einer Oberseite, einer Unterseite und die Oberseite mit der Unterseite verbindende Seitenflächen,- einen stoffschlüssig mit der Oberseite des Trägers (10) verbundenen Halbleiterkörper (20) mit einer monolithisch integrierten Schaltung und mindestens zwei elektrischen Kontaktflächen (22), wobei- die Oberseite des Trägers (10) mindestens zwei erste Kontaktbereiche und mindestens zwei zweite Kontaktbereiche aufweist,- die Kontaktflächen (22) des Halbleiterkörpers (20) jeweils mit einem der ersten Kontaktbereiche des Trägers (10) elektrisch leitfähig verbunden sind,- die Unterseite des IC-Bauelements (100) von der Unterseite des Trägers (10) und einer Vergussmasse (30) ausgebildet wird,- die Seitenflächen des IC-Bauelements (100) von Teilen der Seitenflächen des Trägers (10) und von der Vergussmasse (30) ausgebildet werden,- die zweiten Kontaktbereiche des Trägers (10) jeweils ein durch den Träger (10) hindurch reichendes Durchgangsloch (12) umfassen,- ein den Halbleiterkörper (20) und die ersten Kontaktbereiche des Trägers (10) umfassender Bereich der Oberseite des Trägers (10) von Vergussmasse (30) bedeckt ist und- ein die zweiten Kontaktbereiche umfassender Bereich der Oberseite des Trägers (10) frei von Vergussmasse (30) ist, wobei die Oberseite des IC-Bauelements (100) von der Vergussmasse (30) und den zweiten Kontaktbereichen ausgebildet wird, wobei- die Unterseite des Trägers (10) und/oder die Oberseite des Trägers (10) mindestens eine mit Vergussmasse (30) ausgefüllte Vertiefung aufweist und jeweils freiliegende Oberflächenbereiche der zweiten Kontaktbereiche durch die Vergussmasse (30) in der Vertiefung begrenzt sind, und- die zweiten Kontaktbereiche des Trägers (10) mindestens eine von der Vergussmasse (30) bedeckte Stufe (16) aufweisen, wobei die von der Vergussmasse (30) bedeckte Stufe (16) an der Unterseite des Trägers (10) ausgebildet ist, und- die Vergussmasse (30) an einem seitlichen Ende des zweiten Kontaktbereiches des Träges (10), das einen Teil der Seitenfläche bildet, eine in der Dicke des Trägers (10) ausgebildete Dicke aufweist.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZJBwT804vKS0uCS1WMHTWdcpsTQ1JzU3Na-Eh4E1LTGnOJUXSnMzqLq5hjh76KYW5MenFhckJqfmpZbEu7gaGhgBIRAYGhg4mRgTqw4AGxMj1w</recordid><startdate>20240919</startdate><enddate>20240919</enddate><creator>Stumpf, Pascal</creator><creator>Joos, Christian</creator><creator>Franke, Jörg</creator><creator>Leneke, Thomas, Dr</creator><creator>Steiert, Matthias, Dr</creator><creator>Kunze, Mike, Dr</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240919</creationdate><title>Gehäustes IC-Bauelement</title><author>Stumpf, Pascal ; Joos, Christian ; Franke, Jörg ; Leneke, Thomas, Dr ; Steiert, Matthias, Dr ; Kunze, Mike, Dr</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102020000100B43</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2024</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Stumpf, Pascal</creatorcontrib><creatorcontrib>Joos, Christian</creatorcontrib><creatorcontrib>Franke, Jörg</creatorcontrib><creatorcontrib>Leneke, Thomas, Dr</creatorcontrib><creatorcontrib>Steiert, Matthias, Dr</creatorcontrib><creatorcontrib>Kunze, Mike, Dr</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Stumpf, Pascal</au><au>Joos, Christian</au><au>Franke, Jörg</au><au>Leneke, Thomas, Dr</au><au>Steiert, Matthias, Dr</au><au>Kunze, Mike, Dr</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Gehäustes IC-Bauelement</title><date>2024-09-19</date><risdate>2024</risdate><abstract>Gehäustes IC-Bauelement (100) mit einer Oberseite, einer Unterseite und die Oberseite mit der Unterseite verbindenden Seitenflächen, aufweisend- einen mehrteiligen metallischen Träger (10) mit einer Oberseite, einer Unterseite und die Oberseite mit der Unterseite verbindende Seitenflächen,- einen stoffschlüssig mit der Oberseite des Trägers (10) verbundenen Halbleiterkörper (20) mit einer monolithisch integrierten Schaltung und mindestens zwei elektrischen Kontaktflächen (22), wobei- die Oberseite des Trägers (10) mindestens zwei erste Kontaktbereiche und mindestens zwei zweite Kontaktbereiche aufweist,- die Kontaktflächen (22) des Halbleiterkörpers (20) jeweils mit einem der ersten Kontaktbereiche des Trägers (10) elektrisch leitfähig verbunden sind,- die Unterseite des IC-Bauelements (100) von der Unterseite des Trägers (10) und einer Vergussmasse (30) ausgebildet wird,- die Seitenflächen des IC-Bauelements (100) von Teilen der Seitenflächen des Trägers (10) und von der Vergussmasse (30) ausgebildet werden,- die zweiten Kontaktbereiche des Trägers (10) jeweils ein durch den Träger (10) hindurch reichendes Durchgangsloch (12) umfassen,- ein den Halbleiterkörper (20) und die ersten Kontaktbereiche des Trägers (10) umfassender Bereich der Oberseite des Trägers (10) von Vergussmasse (30) bedeckt ist und- ein die zweiten Kontaktbereiche umfassender Bereich der Oberseite des Trägers (10) frei von Vergussmasse (30) ist, wobei die Oberseite des IC-Bauelements (100) von der Vergussmasse (30) und den zweiten Kontaktbereichen ausgebildet wird, wobei- die Unterseite des Trägers (10) und/oder die Oberseite des Trägers (10) mindestens eine mit Vergussmasse (30) ausgefüllte Vertiefung aufweist und jeweils freiliegende Oberflächenbereiche der zweiten Kontaktbereiche durch die Vergussmasse (30) in der Vertiefung begrenzt sind, und- die zweiten Kontaktbereiche des Trägers (10) mindestens eine von der Vergussmasse (30) bedeckte Stufe (16) aufweisen, wobei die von der Vergussmasse (30) bedeckte Stufe (16) an der Unterseite des Trägers (10) ausgebildet ist, und- die Vergussmasse (30) an einem seitlichen Ende des zweiten Kontaktbereiches des Träges (10), das einen Teil der Seitenfläche bildet, eine in der Dicke des Trägers (10) ausgebildete Dicke aufweist.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language ger
recordid cdi_epo_espacenet_DE102020000100B4
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
title Gehäustes IC-Bauelement
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-17T10%3A02%3A17IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Stumpf,%20Pascal&rft.date=2024-09-19&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EDE102020000100B4%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true