Halbleiter-Schaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung

Halbleiter-Schaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung

Bei einem Verfahren zum Herstellen einer flexiblen Halbleiter-Schaltungsanordnung (1) mit Schaltungsbauteilen (10), werden die folgenden Schritte durchgeführt:beidseitiges Metallisieren einer Isolator- oder Dielektrikumsfolie (2),beidseitiges Strukturieren der Isolator- oder Dielektrikumsfolie (2),V...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Herkt-Bruns, Christian, Ebbers, Andre, Schormann, Andreas
Format: Patent
Sprache:ger
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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creator Herkt-Bruns, Christian
Ebbers, Andre
Schormann, Andreas
description Bei einem Verfahren zum Herstellen einer flexiblen Halbleiter-Schaltungsanordnung (1) mit Schaltungsbauteilen (10), werden die folgenden Schritte durchgeführt:beidseitiges Metallisieren einer Isolator- oder Dielektrikumsfolie (2),beidseitiges Strukturieren der Isolator- oder Dielektrikumsfolie (2),Verfüllen von Zwischenräumen der strukturierten Oberfläche der Isolator- oder Dielektrikumsfolie (2) mit einem Halbleitermaterial (27), undÜberführen der strukturierten Oberflächen in Schichten mit halbleitenden Eigenschaften. Bei einer entsprechend hergestellten Halbleiter-Schaltungsanordnung (1) mit einer Trägerschicht und einem oder mehreren Schaltungsbauteilen (10) und einer oder mehreren Verbindungseinrichtungen (6) für das oder die Schaltungsbauteile (10) ist zumindest eine beidseitig metallisierte und strukturierte Isolator- oder Dielektrikumsfolie (2) als Trägerschicht für das oder die Schaltungsbauteile (10) vorgesehen ist.
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Bei einer entsprechend hergestellten Halbleiter-Schaltungsanordnung (1) mit einer Trägerschicht und einem oder mehreren Schaltungsbauteilen (10) und einer oder mehreren Verbindungseinrichtungen (6) für das oder die Schaltungsbauteile (10) ist zumindest eine beidseitig metallisierte und strukturierte Isolator- oder Dielektrikumsfolie (2) als Trägerschicht für das oder die Schaltungsbauteile (10) vorgesehen ist.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2020</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20200813&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=102019201792A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20200813&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=102019201792A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Herkt-Bruns, Christian</creatorcontrib><creatorcontrib>Ebbers, Andre</creatorcontrib><creatorcontrib>Schormann, Andreas</creatorcontrib><title>Halbleiter-Schaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung</title><description>Bei einem Verfahren zum Herstellen einer flexiblen Halbleiter-Schaltungsanordnung (1) mit Schaltungsbauteilen (10), werden die folgenden Schritte durchgeführt:beidseitiges Metallisieren einer Isolator- oder Dielektrikumsfolie (2),beidseitiges Strukturieren der Isolator- oder Dielektrikumsfolie (2),Verfüllen von Zwischenräumen der strukturierten Oberfläche der Isolator- oder Dielektrikumsfolie (2) mit einem Halbleitermaterial (27), undÜberführen der strukturierten Oberflächen in Schichten mit halbleitenden Eigenschaften. 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