BIPOLARTRANSISTOR MIT ISOLIERTEM GATE ENTHALTENDE HALBLEITERVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN

Halbleitervorrichtung (100), aufweisend:einen IGBT (102) in einem IGBT-Bereich (104) eines Halbleiterkörpers (106);eine Diode (108) in einem Diodenbereich (110) des Halbleiterkörpers (106), wobeidie Diode (108) aufweist:ein p-dotiertes Anodengebiet (132), wobei das Anodengebiet (132) von Diodengräben (134) entlang einer ersten lateralen Richtung (x1) begrenzt ist, wobei jeder der Diodengräben (134) eine Diodengraben-Elektrode (136) und ein Diodengraben-Dielektrikum (138) enthält;eine erste Kontaktvertiefung (140), die sich entlang einer vertikalen Richtung (y) von einer ersten Oberfläche (122) des Halbleiterkörpers (106) in das Anodengebiet (132) erstreckt;ein p-dotiertes Anoden-Kontaktgebiet (148), das an eine Bodenseite der ersten Kontaktvertiefung (140) grenzt; undein n-dotiertes Kathoden-Kontaktgebiet (128), das an eine der ersten Oberfläche (122) entgegengesetzte zweite Oberfläche (126) des Halbleiterkörpers (106) grenzt. A semiconductor device includes an IGBT in an IGBT portion of a semiconductor body and a diode in a diode portion of the semiconductor body. The diode includes an anode region of a first conductivity type and confined by diode trenches along a first lateral direction. Each of the diode trenches includes a diode trench electrode and a diode trench dielectric. A first contact groove extends into the anode region along a vertical direction from the first surface of the semiconductor body. An anode contact region of the first conductivity type adjoins a bottom side of the first contact groove. A cathode contact region of a second conductivity type adjoins a second surface of the semiconductor body opposite to the first surface. The IGBT includes a gate trench including a gate electrode and a gate dielectric, a source region, an emitter electrode, a drift region, and a second contact groove.