Speichervorrichtung und Betriebsverfahren derselben

Betriebsverfahren einer Speichervorrichtung (100) mit einer nichtflüchtigen Speichereinrichtung (130), einer dynamischen Direktzugriffsspeicher(DRAM)-Vorrichtung (120), die eine Mehrzahl an Zeilen (ROW1-ROW4) umfasst, und einem Speicher-Controller (110; 210), wobei das Verfahren Folgendes aufweist:D...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Eun, Hyunglae, Kim, Dong
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	CALCULATING COMPUTING COUNTING ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING INFORMATION STORAGE PHYSICS STATIC STORES
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container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator	Eun, Hyunglae Kim, Dong
description	Betriebsverfahren einer Speichervorrichtung (100) mit einer nichtflüchtigen Speichereinrichtung (130), einer dynamischen Direktzugriffsspeicher(DRAM)-Vorrichtung (120), die eine Mehrzahl an Zeilen (ROW1-ROW4) umfasst, und einem Speicher-Controller (110; 210), wobei das Verfahren Folgendes aufweist:Durchführen (S12) eines Zugriffvorgangs auf die DRAM-Vorrichtung (120) durch den Speicher-Controller (110; 210);Sammeln (S13) von angesammelten Fehlerinformationen (AEI) über die DRAM-Vorrichtung (120) durch den Speicher-Controller (110; 210) basierend auf dem Zugriffsvorgang;Erfassen (S14) einer Fehlerzeile aus einer Mehrzahl an Zeilen (ROW1-ROW4) der DRAM-Vorrichtung (120) durch den Speicher-Controller (110; 210) basierend auf den angesammelten Fehlerinformationen (AEI),Durchführen (S15) eines Laufzeit-Reparaturvorgangs an der Fehlerzeile durch den Speicher-Controller (110; 210);Speichern der angesammelten Fehlerinformationen (AEI) in einem RAM des Speicher-Controllers (110; 210);Verschieben der angesammelten Fehlerinformationen (AEI), einer Neuzuordnungs-Tabelle und eines Adressfeldes, die in dem RAM gespeichert sind, zu einem Meta-Bereich der nichtflüchtigen Speichereinrichtung (130), wenn die Speichervorrichtung (100) ausgeschaltet wird;Laden der angesammelten Fehlerinformationen (AEI), der Neuzuordnungs-Tabelle und des Adressfeldes aus dem Meta-Bereich der nichtflüchtigen Speichereinrichtung (130) in den RAM, wenn die Speichervorrichtung (100) eingeschaltet wird; undDurchführen des Laufzeit-Reparaturvorgangs basierend auf den geladenen Informationen. A storage device including a nonvolatile memory device, a dynamic random access memory (DRAM) device, and a storage controller, an operation method of the storage device including performing an access operation on the DRAM device, collecting accumulated error information about the DRAM device based on the access operation, detecting a fail row of the DRAM device based on the accumulated error information, and performing a runtime repair operation on the detected fail row.
format	Patent
fullrecord	<record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_DE102019117787B4</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>DE102019117787B4</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_DE102019117787B43</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZDAOLkjNTM5ILSrLLyoCMkpK89IVSvNSFJxSS4oyU5OKy1KL0hIzilLzFFJSi4pTc5JS83gYWNMSc4pTeaE0N4Oqm2uIs4duakF-fGpxQWJyal5qSbyLq6GBkYGhpaGhubmFuZOJMbHqAM3pLu4</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>Speichervorrichtung und Betriebsverfahren derselben</title><source>esp@cenet</source><creator>Eun, Hyunglae ; Kim, Dong</creator><creatorcontrib>Eun, Hyunglae ; Kim, Dong</creatorcontrib><description>Betriebsverfahren einer Speichervorrichtung (100) mit einer nichtflüchtigen Speichereinrichtung (130), einer dynamischen Direktzugriffsspeicher(DRAM)-Vorrichtung (120), die eine Mehrzahl an Zeilen (ROW1-ROW4) umfasst, und einem Speicher-Controller (110; 210), wobei das Verfahren Folgendes aufweist:Durchführen (S12) eines Zugriffvorgangs auf die DRAM-Vorrichtung (120) durch den Speicher-Controller (110; 210);Sammeln (S13) von angesammelten Fehlerinformationen (AEI) über die DRAM-Vorrichtung (120) durch den Speicher-Controller (110; 210) basierend auf dem Zugriffsvorgang;Erfassen (S14) einer Fehlerzeile aus einer Mehrzahl an Zeilen (ROW1-ROW4) der DRAM-Vorrichtung (120) durch den Speicher-Controller (110; 210) basierend auf den angesammelten Fehlerinformationen (AEI),Durchführen (S15) eines Laufzeit-Reparaturvorgangs an der Fehlerzeile durch den Speicher-Controller (110; 210);Speichern der angesammelten Fehlerinformationen (AEI) in einem RAM des Speicher-Controllers (110; 210);Verschieben der angesammelten Fehlerinformationen (AEI), einer Neuzuordnungs-Tabelle und eines Adressfeldes, die in dem RAM gespeichert sind, zu einem Meta-Bereich der nichtflüchtigen Speichereinrichtung (130), wenn die Speichervorrichtung (100) ausgeschaltet wird;Laden der angesammelten Fehlerinformationen (AEI), der Neuzuordnungs-Tabelle und des Adressfeldes aus dem Meta-Bereich der nichtflüchtigen Speichereinrichtung (130) in den RAM, wenn die Speichervorrichtung (100) eingeschaltet wird; undDurchführen des Laufzeit-Reparaturvorgangs basierend auf den geladenen Informationen. A storage device including a nonvolatile memory device, a dynamic random access memory (DRAM) device, and a storage controller, an operation method of the storage device including performing an access operation on the DRAM device, collecting accumulated error information about the DRAM device based on the access operation, detecting a fail row of the DRAM device based on the accumulated error information, and performing a runtime repair operation on the detected fail row.</description><language>ger</language><subject>CALCULATING ; COMPUTING ; COUNTING ; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING ; INFORMATION STORAGE ; PHYSICS ; STATIC STORES</subject><creationdate>2022</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20220818&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102019117787B4$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20220818&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102019117787B4$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Eun, Hyunglae</creatorcontrib><creatorcontrib>Kim, Dong</creatorcontrib><title>Speichervorrichtung und Betriebsverfahren derselben</title><description>Betriebsverfahren einer Speichervorrichtung (100) mit einer nichtflüchtigen Speichereinrichtung (130), einer dynamischen Direktzugriffsspeicher(DRAM)-Vorrichtung (120), die eine Mehrzahl an Zeilen (ROW1-ROW4) umfasst, und einem Speicher-Controller (110; 210), wobei das Verfahren Folgendes aufweist:Durchführen (S12) eines Zugriffvorgangs auf die DRAM-Vorrichtung (120) durch den Speicher-Controller (110; 210);Sammeln (S13) von angesammelten Fehlerinformationen (AEI) über die DRAM-Vorrichtung (120) durch den Speicher-Controller (110; 210) basierend auf dem Zugriffsvorgang;Erfassen (S14) einer Fehlerzeile aus einer Mehrzahl an Zeilen (ROW1-ROW4) der DRAM-Vorrichtung (120) durch den Speicher-Controller (110; 210) basierend auf den angesammelten Fehlerinformationen (AEI),Durchführen (S15) eines Laufzeit-Reparaturvorgangs an der Fehlerzeile durch den Speicher-Controller (110; 210);Speichern der angesammelten Fehlerinformationen (AEI) in einem RAM des Speicher-Controllers (110; 210);Verschieben der angesammelten Fehlerinformationen (AEI), einer Neuzuordnungs-Tabelle und eines Adressfeldes, die in dem RAM gespeichert sind, zu einem Meta-Bereich der nichtflüchtigen Speichereinrichtung (130), wenn die Speichervorrichtung (100) ausgeschaltet wird;Laden der angesammelten Fehlerinformationen (AEI), der Neuzuordnungs-Tabelle und des Adressfeldes aus dem Meta-Bereich der nichtflüchtigen Speichereinrichtung (130) in den RAM, wenn die Speichervorrichtung (100) eingeschaltet wird; undDurchführen des Laufzeit-Reparaturvorgangs basierend auf den geladenen Informationen. A storage device including a nonvolatile memory device, a dynamic random access memory (DRAM) device, and a storage controller, an operation method of the storage device including performing an access operation on the DRAM device, collecting accumulated error information about the DRAM device based on the access operation, detecting a fail row of the DRAM device based on the accumulated error information, and performing a runtime repair operation on the detected fail row.</description><subject>CALCULATING</subject><subject>COMPUTING</subject><subject>COUNTING</subject><subject>ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING</subject><subject>INFORMATION STORAGE</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>STATIC STORES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2022</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDAOLkjNTM5ILSrLLyoCMkpK89IVSvNSFJxSS4oyU5OKy1KL0hIzilLzFFJSi4pTc5JS83gYWNMSc4pTeaE0N4Oqm2uIs4duakF-fGpxQWJyal5qSbyLq6GBkYGhpaGhubmFuZOJMbHqAM3pLu4</recordid><startdate>20220818</startdate><enddate>20220818</enddate><creator>Eun, Hyunglae</creator><creator>Kim, Dong</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20220818</creationdate><title>Speichervorrichtung und Betriebsverfahren derselben</title><author>Eun, Hyunglae ; Kim, Dong</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102019117787B43</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2022</creationdate><topic>CALCULATING</topic><topic>COMPUTING</topic><topic>COUNTING</topic><topic>ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING</topic><topic>INFORMATION STORAGE</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>STATIC STORES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Eun, Hyunglae</creatorcontrib><creatorcontrib>Kim, Dong</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Eun, Hyunglae</au><au>Kim, Dong</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Speichervorrichtung und Betriebsverfahren derselben</title><date>2022-08-18</date><risdate>2022</risdate><abstract>Betriebsverfahren einer Speichervorrichtung (100) mit einer nichtflüchtigen Speichereinrichtung (130), einer dynamischen Direktzugriffsspeicher(DRAM)-Vorrichtung (120), die eine Mehrzahl an Zeilen (ROW1-ROW4) umfasst, und einem Speicher-Controller (110; 210), wobei das Verfahren Folgendes aufweist:Durchführen (S12) eines Zugriffvorgangs auf die DRAM-Vorrichtung (120) durch den Speicher-Controller (110; 210);Sammeln (S13) von angesammelten Fehlerinformationen (AEI) über die DRAM-Vorrichtung (120) durch den Speicher-Controller (110; 210) basierend auf dem Zugriffsvorgang;Erfassen (S14) einer Fehlerzeile aus einer Mehrzahl an Zeilen (ROW1-ROW4) der DRAM-Vorrichtung (120) durch den Speicher-Controller (110; 210) basierend auf den angesammelten Fehlerinformationen (AEI),Durchführen (S15) eines Laufzeit-Reparaturvorgangs an der Fehlerzeile durch den Speicher-Controller (110; 210);Speichern der angesammelten Fehlerinformationen (AEI) in einem RAM des Speicher-Controllers (110; 210);Verschieben der angesammelten Fehlerinformationen (AEI), einer Neuzuordnungs-Tabelle und eines Adressfeldes, die in dem RAM gespeichert sind, zu einem Meta-Bereich der nichtflüchtigen Speichereinrichtung (130), wenn die Speichervorrichtung (100) ausgeschaltet wird;Laden der angesammelten Fehlerinformationen (AEI), der Neuzuordnungs-Tabelle und des Adressfeldes aus dem Meta-Bereich der nichtflüchtigen Speichereinrichtung (130) in den RAM, wenn die Speichervorrichtung (100) eingeschaltet wird; undDurchführen des Laufzeit-Reparaturvorgangs basierend auf den geladenen Informationen. A storage device including a nonvolatile memory device, a dynamic random access memory (DRAM) device, and a storage controller, an operation method of the storage device including performing an access operation on the DRAM device, collecting accumulated error information about the DRAM device based on the access operation, detecting a fail row of the DRAM device based on the accumulated error information, and performing a runtime repair operation on the detected fail row.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext	fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language	ger
recordid	cdi_epo_espacenet_DE102019117787B4
source	esp@cenet
subjects	CALCULATING COMPUTING COUNTING ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING INFORMATION STORAGE PHYSICS STATIC STORES
title	Speichervorrichtung und Betriebsverfahren derselben
url	https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-06T23%3A31%3A39IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Eun,%20Hyunglae&rft.date=2022-08-18&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EDE102019117787B4%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true