FOTOMASKENANORDNUNG MIT REFLEKTIERENDER FOTOMASKE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER REFLEKTIERENDEN FOTOMASKE

Fotomaskenanordnung, umfassend:eine reflektierende Fotomaske (100) mit einem Substrat (110), undein reflektierendes Mehrschichtsystem (120) auf einer ersten Substratoberfläche (111) des Substrats (110) an einer Vorderseite der Fotomaske (100); undeine Schutzstruktur (200) auf einer zweiten Substrato...

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Hauptverfasser: Schedel, Thorsten, Bender, Markus, Schenke, Andreas
Format: Patent
Sprache:ger
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creator Schedel, Thorsten
Bender, Markus
Schenke, Andreas
description Fotomaskenanordnung, umfassend:eine reflektierende Fotomaske (100) mit einem Substrat (110), undein reflektierendes Mehrschichtsystem (120) auf einer ersten Substratoberfläche (111) des Substrats (110) an einer Vorderseite der Fotomaske (100); undeine Schutzstruktur (200) auf einer zweiten Substratoberfläche (112) des Substrats (110) an einer Rückseite der Fotomaske (100), wobei die Schutzstruktur (200) direkt auf die zweite Substratoberfläche (112) geklebt oder gebondet ist, und bei einer Temperatur unterhalb von 150 Grad Celsius von der Fotomaske (100) abnehmbar ist. A photomask mask assembly includes a reflective photomask and a protection structure. The reflective photomask includes a substrate and a reflective multilayer on a first substrate surface of the substrate at a front side of the reflective photomask. The protection structure is on a second substrate surface of the substrate at a backside of the reflective photomask, and is detachable from the reflective photomask at a temperature below 150 degree Celsius.
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A photomask mask assembly includes a reflective photomask and a protection structure. The reflective photomask includes a substrate and a reflective multilayer on a first substrate surface of the substrate at a front side of the reflective photomask. The protection structure is on a second substrate surface of the substrate at a backside of the reflective photomask, and is detachable from the reflective photomask at a temperature below 150 degree Celsius.</description><language>ger</language><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR ; CINEMATOGRAPHY ; ELECTROGRAPHY ; HOLOGRAPHY ; MATERIALS THEREFOR ; ORIGINALS THEREFOR ; PHOTOGRAPHY ; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES ; PHYSICS</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20241114&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=102019100839B4$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25555,76308</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20241114&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=102019100839B4$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Schedel, Thorsten</creatorcontrib><creatorcontrib>Bender, Markus</creatorcontrib><creatorcontrib>Schenke, Andreas</creatorcontrib><title>FOTOMASKENANORDNUNG MIT REFLEKTIERENDER FOTOMASKE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER REFLEKTIERENDEN FOTOMASKE</title><description>Fotomaskenanordnung, umfassend:eine reflektierende Fotomaske (100) mit einem Substrat (110), undein reflektierendes Mehrschichtsystem (120) auf einer ersten Substratoberfläche (111) des Substrats (110) an einer Vorderseite der Fotomaske (100); undeine Schutzstruktur (200) auf einer zweiten Substratoberfläche (112) des Substrats (110) an einer Rückseite der Fotomaske (100), wobei die Schutzstruktur (200) direkt auf die zweite Substratoberfläche (112) geklebt oder gebondet ist, und bei einer Temperatur unterhalb von 150 Grad Celsius von der Fotomaske (100) abnehmbar ist. A photomask mask assembly includes a reflective photomask and a protection structure. The reflective photomask includes a substrate and a reflective multilayer on a first substrate surface of the substrate at a front side of the reflective photomask. The protection structure is on a second substrate surface of the substrate at a backside of the reflective photomask, and is detachable from the reflective photomask at a temperature below 150 degree Celsius.</description><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</subject><subject>CINEMATOGRAPHY</subject><subject>ELECTROGRAPHY</subject><subject>HOLOGRAPHY</subject><subject>MATERIALS THEREFOR</subject><subject>ORIGINALS THEREFOR</subject><subject>PHOTOGRAPHY</subject><subject>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</subject><subject>PHYSICS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZMhz8w_x93UM9nb1c_TzD3LxC_VzV_D1DFEIcnXzcfUO8XQNcvVzcQ1SgKtTCPVzUQhzDXJz9ABKKUSF-ip4uAYFh7j6-AC5rp5-QMWomv0QmnkYWNMSc4pTeaE0N4Oqm2uIs4duakF-fGpxQWJyal5qSbyLq6GBkYGhpaGBgYWxpZOJMbHqAJ6hOZk</recordid><startdate>20241114</startdate><enddate>20241114</enddate><creator>Schedel, Thorsten</creator><creator>Bender, Markus</creator><creator>Schenke, Andreas</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20241114</creationdate><title>FOTOMASKENANORDNUNG MIT REFLEKTIERENDER FOTOMASKE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER REFLEKTIERENDEN FOTOMASKE</title><author>Schedel, Thorsten ; Bender, Markus ; Schenke, Andreas</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102019100839B43</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2024</creationdate><topic>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</topic><topic>CINEMATOGRAPHY</topic><topic>ELECTROGRAPHY</topic><topic>HOLOGRAPHY</topic><topic>MATERIALS THEREFOR</topic><topic>ORIGINALS THEREFOR</topic><topic>PHOTOGRAPHY</topic><topic>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</topic><topic>PHYSICS</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Schedel, Thorsten</creatorcontrib><creatorcontrib>Bender, Markus</creatorcontrib><creatorcontrib>Schenke, Andreas</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Schedel, Thorsten</au><au>Bender, Markus</au><au>Schenke, Andreas</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>FOTOMASKENANORDNUNG MIT REFLEKTIERENDER FOTOMASKE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER REFLEKTIERENDEN FOTOMASKE</title><date>2024-11-14</date><risdate>2024</risdate><abstract>Fotomaskenanordnung, umfassend:eine reflektierende Fotomaske (100) mit einem Substrat (110), undein reflektierendes Mehrschichtsystem (120) auf einer ersten Substratoberfläche (111) des Substrats (110) an einer Vorderseite der Fotomaske (100); undeine Schutzstruktur (200) auf einer zweiten Substratoberfläche (112) des Substrats (110) an einer Rückseite der Fotomaske (100), wobei die Schutzstruktur (200) direkt auf die zweite Substratoberfläche (112) geklebt oder gebondet ist, und bei einer Temperatur unterhalb von 150 Grad Celsius von der Fotomaske (100) abnehmbar ist. A photomask mask assembly includes a reflective photomask and a protection structure. The reflective photomask includes a substrate and a reflective multilayer on a first substrate surface of the substrate at a front side of the reflective photomask. The protection structure is on a second substrate surface of the substrate at a backside of the reflective photomask, and is detachable from the reflective photomask at a temperature below 150 degree Celsius.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
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