RC-Snubberglied mit hoher Spannungsfestigkeit

Bei einer elektrischen Schaltungsanordnung, die durch ein monolithisch in ein Halbleitersubstrat integriertes RC-Snubberglied gebildet ist, sind ein erster Kondensator und ein Widerstand des RC-Snubberglieds vertikal in einem Halbleitergebiet eines ersten Dotierungstyps des Halbleitersubstrats ausgebildet. Wenigstens ein weiterer Kondensator ist in Reihe mit dem ersten Kondensator verschaltet. Der weitere Kondensator ist lateral zum ersten Kondensator in ein Halbleitergebiet eines zweiten Dotierungstyps integriert, das an das Halbleitergebiet des ersten Dotierungstyps angrenzt und durch den unterschiedlichen Dotierungstyp den weiteren Kondensator von dem Halbleitergebiet des ersten Dotierungstyps elektrisch isoliert. Mit dieser Schaltungsanordnung wird ein niederinduktives RC-Snubberglied mit hoher Spannungsfestigkeit gebildet, das eine hohe Entwärmbarkeit und Integrationsdichte aufweist. In an electrical circuit arrangement, which is formed by an RC-snubber element monolithically integrated into a semiconductor substrate, a first capacitor and a resistor of the RC-snubber element are vertically formed in a semiconductor region of a first type of doping of the semiconductor substrate. At least one further capacitor is connected in series with the first capacitor. The further capacitor is integrated laterally with the first capacitor in a semiconductor region of a second type of doping, which adjoins the semiconductor region of the first type of doping, and by virtue of the different type of doping electrically insulates the further capacitor from the semiconductor region of the first type of doping. This circuit arrangement forms a low inductance RC-snubber element with high dielectric strength, which has high heat dissipation and integration density.