Halbleitervorrichtung

Halbleitervorrichtung, gekennzeichnet, indem sie umfasst:einen Resist (4), der so vorgesehen ist, dass er eine Öffnung auf einer Metallstruktur (1) aufweist, wobei der Resist (4) einen in die Öffnung vorstehenden Vorsprungsteil aufweist;wobei die Halbleitervorrichtung ferner gekennzeichnet ist, inde...

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1. Verfasser: Otsuki, Takami
Format: Patent
Sprache:ger
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creator Otsuki, Takami
description Halbleitervorrichtung, gekennzeichnet, indem sie umfasst:einen Resist (4), der so vorgesehen ist, dass er eine Öffnung auf einer Metallstruktur (1) aufweist, wobei der Resist (4) einen in die Öffnung vorstehenden Vorsprungsteil aufweist;wobei die Halbleitervorrichtung ferner gekennzeichnet ist, indem sie umfasst:ein Halbleiterelement (5), das eine kleinere Außenabmessung als eine Außenabmessung der Öffnung ohne den Vorsprung aufweist; undein Lot (3), das innerhalb der Öffnung vorgesehen ist, um die Metallstruktur (1) und das Halbleiterelement (5) zu verbinden,wobei der Vorsprungsteil des Resists (4) eine Vielzahl von Vorsprüngen umfasst, die in einer Draufsicht mit dem Halbleiterelement (5) überlappen und eine Position des Halbleiterelements (5) relativ zum Resist (4) in einer Dickenrichtung regulieren. A semiconductor device according to the present invention includes a resist provided so as to have an opening on a metal pattern, the resist having a protrusion part protruding into the opening, and the semiconductor device further includes a semiconductor element having an outside dimension smaller than an outside dimension of the opening excluding the protrusion, and solder provided inside the opening to join the metal pattern and the semiconductor element, wherein the protrusion part of the resist includes a plurality of protrusions that overlap with the semiconductor element in a plan view and regulate a thickness direction of the semiconductor element.
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A semiconductor device according to the present invention includes a resist provided so as to have an opening on a metal pattern, the resist having a protrusion part protruding into the opening, and the semiconductor device further includes a semiconductor element having an outside dimension smaller than an outside dimension of the opening excluding the protrusion, and solder provided inside the opening to join the metal pattern and the semiconductor element, wherein the protrusion part of the resist includes a plurality of protrusions that overlap with the semiconductor element in a plan view and regulate a thickness direction of the semiconductor element.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2023</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20230209&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=102018217143B4$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20230209&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=102018217143B4$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Otsuki, Takami</creatorcontrib><title>Halbleitervorrichtung</title><description>Halbleitervorrichtung, gekennzeichnet, indem sie umfasst:einen Resist (4), der so vorgesehen ist, dass er eine Öffnung auf einer Metallstruktur (1) aufweist, wobei der Resist (4) einen in die Öffnung vorstehenden Vorsprungsteil aufweist;wobei die Halbleitervorrichtung ferner gekennzeichnet ist, indem sie umfasst:ein Halbleiterelement (5), das eine kleinere Außenabmessung als eine Außenabmessung der Öffnung ohne den Vorsprung aufweist; undein Lot (3), das innerhalb der Öffnung vorgesehen ist, um die Metallstruktur (1) und das Halbleiterelement (5) zu verbinden,wobei der Vorsprungsteil des Resists (4) eine Vielzahl von Vorsprüngen umfasst, die in einer Draufsicht mit dem Halbleiterelement (5) überlappen und eine Position des Halbleiterelements (5) relativ zum Resist (4) in einer Dickenrichtung regulieren. A semiconductor device according to the present invention includes a resist provided so as to have an opening on a metal pattern, the resist having a protrusion part protruding into the opening, and the semiconductor device further includes a semiconductor element having an outside dimension smaller than an outside dimension of the opening excluding the protrusion, and solder provided inside the opening to join the metal pattern and the semiconductor element, wherein the protrusion part of the resist includes a plurality of protrusions that overlap with the semiconductor element in a plan view and regulate a thickness direction of the semiconductor element.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2023</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZBD1SMxJyknNLEktKssvKspMzigpzUvnYWBNS8wpTuWF0twMqm6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXxLq6GBkYGhhZGhuaGJsZOJsbEqgMAshUjMQ</recordid><startdate>20230209</startdate><enddate>20230209</enddate><creator>Otsuki, Takami</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20230209</creationdate><title>Halbleitervorrichtung</title><author>Otsuki, Takami</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102018217143B43</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2023</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Otsuki, Takami</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Otsuki, Takami</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Halbleitervorrichtung</title><date>2023-02-09</date><risdate>2023</risdate><abstract>Halbleitervorrichtung, gekennzeichnet, indem sie umfasst:einen Resist (4), der so vorgesehen ist, dass er eine Öffnung auf einer Metallstruktur (1) aufweist, wobei der Resist (4) einen in die Öffnung vorstehenden Vorsprungsteil aufweist;wobei die Halbleitervorrichtung ferner gekennzeichnet ist, indem sie umfasst:ein Halbleiterelement (5), das eine kleinere Außenabmessung als eine Außenabmessung der Öffnung ohne den Vorsprung aufweist; undein Lot (3), das innerhalb der Öffnung vorgesehen ist, um die Metallstruktur (1) und das Halbleiterelement (5) zu verbinden,wobei der Vorsprungsteil des Resists (4) eine Vielzahl von Vorsprüngen umfasst, die in einer Draufsicht mit dem Halbleiterelement (5) überlappen und eine Position des Halbleiterelements (5) relativ zum Resist (4) in einer Dickenrichtung regulieren. 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