Mit Kobalt und Barrierenlinern beschichtete Verdrahtungsgräben über Kobalt-gefüllten Via-Strukturen sowie entsprechendes Herstellungsverfahren

Struktur (10", 10'"), umfassend:eine Durchkontaktierungsstruktur (22a), die mit Kobalt (26) gefüllt ist; undein Verdrahtungsgraben (22b) über der Durchkontaktierungsstruktur (22a),wobei der Verdrahtungsgraben (22b) mit Kobalt (26) dünn beschichtet und mit einem leitfähigen Material (28) gefüllt ist, das ein Kupfermaterial ist, undwobei ein Barrierenliner (16') direkt auf Kobalt (26) in dem Verdrahtungsgraben (22b) abgeschieden ist und das leitfähige Material (28) direkt auf dem Barrierenliner (16') abgeschieden ist. The present disclosure relates to semiconductor structures and, more particularly, to a cobalt plated via integration scheme and methods of manufacture. The structure includes: a via structure composed of cobalt material; and a wiring structure above the via structure. The wiring structure is lined with a barrier liner and the cobalt material and filled with conductive material.