Siliziumcarbid-Bauelemente und Verfahren zum Bilden von Siliziumcarbid-Bauelementen
Ein Siliziumcarbid-Bauelement (100, 200, 300, 400), umfassend:ein Siliziumcarbid-Substrat, umfassend eine Body-Region (110) und eine Source-Region (120) einer Transistorzelle;eine Titancarbid-Gate-Elektrode (130) der Transistorzelle,wobei die Titancarbid-Gate-Elektrode (130) sich in einem Gate-Grabe...
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| description | Ein Siliziumcarbid-Bauelement (100, 200, 300, 400), umfassend:ein Siliziumcarbid-Substrat, umfassend eine Body-Region (110) und eine Source-Region (120) einer Transistorzelle;eine Titancarbid-Gate-Elektrode (130) der Transistorzelle,wobei die Titancarbid-Gate-Elektrode (130) sich in einem Gate-Graben befindet, wobei der Gate-Graben sich von einer Oberfläche des Siliziumcarbid-Substrats in das Siliziumcarbid-Substrat erstreckt; undeine Titancarbid-Kontaktelektrode (370, 430), die sich in dem Gate-Graben oder in einem Kontaktgraben befindet, wobei die Titancarbid-Kontaktelektrode (430) mit der Source-Region (120) der Transistorzelle elektrisch verbunden ist.
A silicon carbide device includes a semiconductor substrate comprising a body region and transistor cell that comprises a source region, and a titanium carbide field electrode of the transistor cell, wherein the titanium carbide field electrode is connected to a reference voltage metallization structure or connectable to the reference voltage metallization structure by a switching device, wherein the reference voltage metallization is connected to a fixed voltage that is independent from a gate voltage of the transistor cell. |
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A silicon carbide device includes a semiconductor substrate comprising a body region and transistor cell that comprises a source region, and a titanium carbide field electrode of the transistor cell, wherein the titanium carbide field electrode is connected to a reference voltage metallization structure or connectable to the reference voltage metallization structure by a switching device, wherein the reference voltage metallization is connected to a fixed voltage that is independent from a gate voltage of the transistor cell.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20241114&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102018130385B4$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20241114&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102018130385B4$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Siemieniec, Thomas Ralf</creatorcontrib><creatorcontrib>Santos Rodriguez, Francisco Javier</creatorcontrib><creatorcontrib>Aichinger, Thomas</creatorcontrib><creatorcontrib>Moder, Iris</creatorcontrib><creatorcontrib>Schulze, Hans-Joachim</creatorcontrib><creatorcontrib>Koblinski, Carsten von</creatorcontrib><title>Siliziumcarbid-Bauelemente und Verfahren zum Bilden von Siliziumcarbid-Bauelementen</title><description>Ein Siliziumcarbid-Bauelement (100, 200, 300, 400), umfassend:ein Siliziumcarbid-Substrat, umfassend eine Body-Region (110) und eine Source-Region (120) einer Transistorzelle;eine Titancarbid-Gate-Elektrode (130) der Transistorzelle,wobei die Titancarbid-Gate-Elektrode (130) sich in einem Gate-Graben befindet, wobei der Gate-Graben sich von einer Oberfläche des Siliziumcarbid-Substrats in das Siliziumcarbid-Substrat erstreckt; undeine Titancarbid-Kontaktelektrode (370, 430), die sich in dem Gate-Graben oder in einem Kontaktgraben befindet, wobei die Titancarbid-Kontaktelektrode (430) mit der Source-Region (120) der Transistorzelle elektrisch verbunden ist.
A silicon carbide device includes a semiconductor substrate comprising a body region and transistor cell that comprises a source region, and a titanium carbide field electrode of the transistor cell, wherein the titanium carbide field electrode is connected to a reference voltage metallization structure or connectable to the reference voltage metallization structure by a switching device, wherein the reference voltage metallization is connected to a fixed voltage that is independent from a gate voltage of the transistor cell.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZAgOzszJrMoszU1OLErKTNF1SixNzUnNTc0rSVUozUtRCEstSkvMKErNU6gqzVVwysxJATLL8vMUcOvL42FgTUvMKU7lhdLcDKpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8S6uhgZGBoYWhsYGxhamTibGxKoDAFgMOm0</recordid><startdate>20241114</startdate><enddate>20241114</enddate><creator>Siemieniec, Thomas Ralf</creator><creator>Santos Rodriguez, Francisco Javier</creator><creator>Aichinger, Thomas</creator><creator>Moder, Iris</creator><creator>Schulze, Hans-Joachim</creator><creator>Koblinski, Carsten von</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20241114</creationdate><title>Siliziumcarbid-Bauelemente und Verfahren zum Bilden von Siliziumcarbid-Bauelementen</title><author>Siemieniec, Thomas Ralf ; Santos Rodriguez, Francisco Javier ; Aichinger, Thomas ; Moder, Iris ; Schulze, Hans-Joachim ; Koblinski, Carsten von</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102018130385B43</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2024</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Siemieniec, Thomas Ralf</creatorcontrib><creatorcontrib>Santos Rodriguez, Francisco Javier</creatorcontrib><creatorcontrib>Aichinger, Thomas</creatorcontrib><creatorcontrib>Moder, Iris</creatorcontrib><creatorcontrib>Schulze, Hans-Joachim</creatorcontrib><creatorcontrib>Koblinski, Carsten von</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Siemieniec, Thomas Ralf</au><au>Santos Rodriguez, Francisco Javier</au><au>Aichinger, Thomas</au><au>Moder, Iris</au><au>Schulze, Hans-Joachim</au><au>Koblinski, Carsten von</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Siliziumcarbid-Bauelemente und Verfahren zum Bilden von Siliziumcarbid-Bauelementen</title><date>2024-11-14</date><risdate>2024</risdate><abstract>Ein Siliziumcarbid-Bauelement (100, 200, 300, 400), umfassend:ein Siliziumcarbid-Substrat, umfassend eine Body-Region (110) und eine Source-Region (120) einer Transistorzelle;eine Titancarbid-Gate-Elektrode (130) der Transistorzelle,wobei die Titancarbid-Gate-Elektrode (130) sich in einem Gate-Graben befindet, wobei der Gate-Graben sich von einer Oberfläche des Siliziumcarbid-Substrats in das Siliziumcarbid-Substrat erstreckt; undeine Titancarbid-Kontaktelektrode (370, 430), die sich in dem Gate-Graben oder in einem Kontaktgraben befindet, wobei die Titancarbid-Kontaktelektrode (430) mit der Source-Region (120) der Transistorzelle elektrisch verbunden ist.
A silicon carbide device includes a semiconductor substrate comprising a body region and transistor cell that comprises a source region, and a titanium carbide field electrode of the transistor cell, wherein the titanium carbide field electrode is connected to a reference voltage metallization structure or connectable to the reference voltage metallization structure by a switching device, wherein the reference voltage metallization is connected to a fixed voltage that is independent from a gate voltage of the transistor cell.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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