Siliziumcarbid-Bauelemente und Verfahren zum Bilden von Siliziumcarbid-Bauelementen

Ein Siliziumcarbid-Bauelement (100, 200, 300, 400), umfassend:ein Siliziumcarbid-Substrat, umfassend eine Body-Region (110) und eine Source-Region (120) einer Transistorzelle;eine Titancarbid-Gate-Elektrode (130) der Transistorzelle,wobei die Titancarbid-Gate-Elektrode (130) sich in einem Gate-Graben befindet, wobei der Gate-Graben sich von einer Oberfläche des Siliziumcarbid-Substrats in das Siliziumcarbid-Substrat erstreckt; undeine Titancarbid-Kontaktelektrode (370, 430), die sich in dem Gate-Graben oder in einem Kontaktgraben befindet, wobei die Titancarbid-Kontaktelektrode (430) mit der Source-Region (120) der Transistorzelle elektrisch verbunden ist. A silicon carbide device includes a semiconductor substrate comprising a body region and transistor cell that comprises a source region, and a titanium carbide field electrode of the transistor cell, wherein the titanium carbide field electrode is connected to a reference voltage metallization structure or connectable to the reference voltage metallization structure by a switching device, wherein the reference voltage metallization is connected to a fixed voltage that is independent from a gate voltage of the transistor cell.