Vergossenes Halbleitergehäuse mit C-Flügel- und Knickflügelleitungen

Halbleitergehäuse (100) mit:einem vergossenen Gehäusekörper (108), der eine untere Hauptfläche (112a), eine obere Hauptfläche (112b) und Seitenflächen (106a - 106d) hat, die sich von der unteren Hauptfläche (112a) zu der oberen Hauptfläche (112b) erstrecken,einem Halbleiterdie (114), das in dem verg...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: Chong, Hai Sin, Koh, Cher Hau Danny, Salminen, Toni, Saw, Khay Chwan, Poh, Yong Chern, Macheiner, Stefan
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Halbleitergehäuse (100) mit:einem vergossenen Gehäusekörper (108), der eine untere Hauptfläche (112a), eine obere Hauptfläche (112b) und Seitenflächen (106a - 106d) hat, die sich von der unteren Hauptfläche (112a) zu der oberen Hauptfläche (112b) erstrecken,einem Halbleiterdie (114), das in dem vergossenen Gehäusekörper (108) eingebettet ist;einer ersten Mehrzahl von Leitungen (102, 104), die mit dem Halbleiterdie (114) elektrisch verbunden sind und von einer ersten Seitenfläche (106a) des vergossenen Gehäusekörpers (108) vorstehen; undeiner ersten Ausnehmung (120a), die sich von der ersten Seitenfläche (106a) des vergossenen Gehäusekörpers (108) nach innen und in die untere Hauptfläche (112a) erstreckt, um eine einzige Nut (122a) entlang der ersten Seitenfläche (106a) an einem Boden (110) des Halbleitergehäuses (100) zu bilden,wobei die erste Ausnehmung (120a) unter einem Bereich der ersten Seitenfläche (106a) beginnt, von der die erste Mehrzahl von Leitungen (102, 104) vorsteht, so dass der Bereich der ersten Seitenfläche (106a), von dem die erste Mehrzahl von Leitungen (102, 104) vorsteht, eben ist und alle Leitungen (102, 104) der ersten Mehrzahl von Leitungen (102, 104) aus dem vergossenen Gehäusekörper (108) in derselben Ebene austreten,wobei eine erste Untermenge der ersten Mehrzahl von Leitungen (102, 104) zu dem vergossenen Gehäusekörper (108) nach innen gebogen und in der einzigen Nut (122a) gelegen ist, die durch die erste Ausnehmung (120a) gebildet ist, um eine erste Reihe von Leitungen (102) zu bilden, die für eine Flächenmontage konfiguriert sind,wobei sich eine zweite Untermenge der ersten Mehrzahl von Leitungen (102, 104) von dem vergossenen Gehäusekörper (108) nach außen erstreckt, um eine zweite Reihe von Leitungen (104) zu bilden, die für eine Flächenmontage konfiguriert sind. A semiconductor package includes a semiconductor die embedded in a molded package body, leads electrically connected to the die and protruding from a side face of the molded package body, and a recess extending inward from the side face and into a bottom main face of the molded package body to forma single groove. The recess begins below a region of the side face from which the leads protrude, so that this region of the side face is flat and each of the leads exits the molded package body in the same plane. A first subset of the leads is bent inward towards the molded package body and seated in the single groove, to form a first row of leads configured for surface