Verfahren zum Entfernen einer Kontaminationsschicht durch einen Atomlagen-Ätzprozess

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum zumindest teilweisen Entfernen einer Kontaminationsschicht (24) von einer optischen Oberfläche (14a) eines EUV-Strahlung reflektierenden optischen Elements (14), das Verfahren umfassend: Durchführen eines Atomlagen-Ätzprozesses zum zumindest teilweisen Entfernen der Kontaminationsschicht (24) von der optischen Oberfläche (14a). Typischerweise wird das optische Element (14) vor dem Durchführen des Atomlagen-Ätzprozesses aus einer optischen Anordnung, insbesondere aus einem EUV-Lithographiesystem, entnommen, in der die optische Oberfläche (14a) des optischen Elements (14) EUV-Strahlung (6) ausgesetzt wird, wobei sich die Kontaminationsschicht (24) gebildet hat. A method for at least partially removing a contamination layer (24) from an optical surface (14a) of an optical element (14) that reflects EUV radiation includes: performing an atomic layer etching process for at least partially removing the contamination layer (24) from the optical surface (14a), which, in turn, includes: exposing the contamination layer (24) to a surface-modifying reactant (44) in a surface modification step, and exposing the contamination layer (24) to a material-detaching reactant (45) in a material detachment step. The optical element (14) is typically taken, before the atomic layer etching process is performed, from an optical arrangement, in particular from an EUV lithography system, in which the optical surface (14a) of the optical element (14) is exposed to EUV radiation (6), during which the contamination layer (24) is formed.