Halbleiterbauelemente und ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements

Halbleiterbauelemente und ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements

Ein Halbleiterbauelement (100, 200, 300, 400), umfassend:eine Mehrzahl von streifenförmigen Gräben, die sich in ein Halbleitersubstrat (102) erstrecken,wobei sich zumindest ein Graben (101A) einer ersten Gruppe von Gräben (101A) aus der Mehrzahl von streifenförmigen Gräben zwischen zwei Gräben (101B...

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Hauptverfasser: Blank, Oliver, Wutte, Britta
Format: Patent
Sprache:ger
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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creator Blank, Oliver
Wutte, Britta
description Ein Halbleiterbauelement (100, 200, 300, 400), umfassend:eine Mehrzahl von streifenförmigen Gräben, die sich in ein Halbleitersubstrat (102) erstrecken,wobei sich zumindest ein Graben (101A) einer ersten Gruppe von Gräben (101A) aus der Mehrzahl von streifenförmigen Gräben zwischen zwei Gräben (101B) einer zweiten Gruppe von Gräben (101B) aus der Mehrzahl von streifenförmigen Gräben befindet,wobei sich ein Gate (103) einer Transistorstruktur in jedem Graben (101B) der zweiten Gruppe von Gräben (101B) befindet, und sich eine Gate-Isolierschicht (104) zwischen dem Gate (103) und dem Halbleitersubstrat (102) in jedem Graben (101B) der zweiten Gruppe von Gräben (101B) befindet,wobei sich ein Grabenisoliermaterial (105) in jedem Graben (101A) der ersten Gruppe von Gräben (101A) befindet,wobei eine Dicke des Grabenisoliermaterials (105) überall in jedem Graben (101A) der ersten Gruppe von Gräben (101A) zumindest zwei Mal größer ist als eine Dicke der Gate-Isolierschicht (104) in jedem Graben (101B) der zweiten Gruppe von Gräben (101B),wobei jeder Graben (101A) der ersten Gruppe von Gräben (101A) eine elektrodenfreie Region umfasst, wobei die elektrodenfreie Region eine Stelle in jedem Graben (101A) der ersten Gruppe von Gräben (101A) aufweist, die einer Stelle eines Gates (103) in jedem Graben (101B) der zweiten Gruppe von Gräben (101B) entspricht,wobei sich eine Feldelektrode (206) in jedem ersten Graben (101A) der ersten Gruppe von Gräben (101A) befindet, wobei sich zumindest ein Teil einer jeden Feldelektrode (206) unter einem vertikalen Niveau der Gates (103) befindet, die sich in den Gräben (101B) der zweiten Gruppe von Gräben (101B) befinden. A semiconductor device includes a plurality of striped-shaped trenches extending into a semiconductor substrate. At least one trench of a first group of trenches of the plurality of striped-shaped trenches is located between two trenches of a second group of trenches of the plurality of striped-shaped trenches. A gate of a transistor structure is located in each trench of the second group of trenches and a gate insulation layer is located between the gate and the semiconductor substrate in each trench of the second group of trenches. Trench insulation material is located in each trench of the first group of trenches. A thickness of the trench insulation material throughout each trench of the first group of trenches is at least two times larger than a thickness of the gate insulation layer in each trench of the second
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A semiconductor device includes a plurality of striped-shaped trenches extending into a semiconductor substrate. At least one trench of a first group of trenches of the plurality of striped-shaped trenches is located between two trenches of a second group of trenches of the plurality of striped-shaped trenches. A gate of a transistor structure is located in each trench of the second group of trenches and a gate insulation layer is located between the gate and the semiconductor substrate in each trench of the second group of trenches. Trench insulation material is located in each trench of the first group of trenches. A thickness of the trench insulation material throughout each trench of the first group of trenches is at least two times larger than a thickness of the gate insulation layer in each trench of the second group of trenches.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2022</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20220714&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=102016104520B4$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20220714&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=102016104520B4$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Blank, Oliver</creatorcontrib><creatorcontrib>Wutte, Britta</creatorcontrib><title>Halbleiterbauelemente und ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements</title><description>Ein Halbleiterbauelement (100, 200, 300, 400), umfassend:eine Mehrzahl von streifenförmigen Gräben, die sich in ein Halbleitersubstrat (102) erstrecken,wobei sich zumindest ein Graben (101A) einer ersten Gruppe von Gräben (101A) aus der Mehrzahl von streifenförmigen Gräben zwischen zwei Gräben (101B) einer zweiten Gruppe von Gräben (101B) aus der Mehrzahl von streifenförmigen Gräben befindet,wobei sich ein Gate (103) einer Transistorstruktur in jedem Graben (101B) der zweiten Gruppe von Gräben (101B) befindet, und sich eine Gate-Isolierschicht (104) zwischen dem Gate (103) und dem Halbleitersubstrat (102) in jedem Graben (101B) der zweiten Gruppe von Gräben (101B) befindet,wobei sich ein Grabenisoliermaterial (105) in jedem Graben (101A) der ersten Gruppe von Gräben (101A) befindet,wobei eine Dicke des Grabenisoliermaterials (105) überall in jedem Graben (101A) der ersten Gruppe von Gräben (101A) zumindest zwei Mal größer ist als eine Dicke der Gate-Isolierschicht (104) in jedem Graben (101B) der zweiten Gruppe von Gräben (101B),wobei jeder Graben (101A) der ersten Gruppe von Gräben (101A) eine elektrodenfreie Region umfasst, wobei die elektrodenfreie Region eine Stelle in jedem Graben (101A) der ersten Gruppe von Gräben (101A) aufweist, die einer Stelle eines Gates (103) in jedem Graben (101B) der zweiten Gruppe von Gräben (101B) entspricht,wobei sich eine Feldelektrode (206) in jedem ersten Graben (101A) der ersten Gruppe von Gräben (101A) befindet, wobei sich zumindest ein Teil einer jeden Feldelektrode (206) unter einem vertikalen Niveau der Gates (103) befindet, die sich in den Gräben (101B) der zweiten Gruppe von Gräben (101B) befinden. 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