Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements und ein Halbleiterbauelement
Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst ein Einbringen von ersten Dotierstoffatomen eines ersten Leitfähigkeitstyps in ein Halbleitersubstrat, um eine erste Dotierungsregion zu bilden, die den ersten Leitfähigkeitstyp aufweist. Ferner umfasst das Verfahren ein Bilden einer epita...
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Format: | Patent |
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