Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements und ein Halbleiterbauelement

Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst ein Einbringen von ersten Dotierstoffatomen eines ersten Leitfähigkeitstyps in ein Halbleitersubstrat, um eine erste Dotierungsregion zu bilden, die den ersten Leitfähigkeitstyp aufweist. Ferner umfasst das Verfahren ein Bilden einer epita...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Schulze, Hans-Joachim, Seng, Philipp
Format: Patent
Sprache:ger
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