Dünnschichttransistorsubstrat

Dünnschichttransistorsubstrat, das umfasst;ein Substrat (111), das einen Anzeigebereich (A/A) zum Anzeigen eines Bildes und einen Nicht-Anzeigebereich, der dem Anzeigebereich (A/A) benachbart ist, aufweist; undeinen Schaltungsabschnitt (120) in dem Nicht-Anzeigebereich, wobei der Schaltungsabschnitt (120) eine erste Elektrode (210), eine Isolierschicht (220) auf der ersten Elektrode (210) und eine zweite Elektrode (230) auf der Isolierschicht (220) enthält, wobei die erste Elektrode (210) und die zweite Elektrode (230) einander teilweise überlappen,wobei sich ein Rand (210a) der ersten Elektrode (210), der einem Gate-Verbindungsmuster (211) zugewandt ist, über einen Rand (230a) der zweiten Elektrode (230), der dem Gate-Verbindungsmuster (211) zugewandt ist, hinaus erstreckt, undwobei der Schaltungsabschnitt (120) einen Transistor (Tu/Td) enthält, wobei die erste Elektrode (210) eine Gate-Elektrode (210g) des Transistors (Tu/Td) ist und die zweite Elektrode (230) eine Drain-Elektrode (230d) oder eine Source-Elektrode (230s) des Transistors (Tu/Td) ist. Disclosed is a thin film transistor substrate capable of preventing a circuit from being damaged by static electricity, and a display device including the same, wherein the thin film transistor substrate includes a substrate having a display area for displaying an image, and a non-display area. The circuit is disposed in the non-display area. The circuit includes a first electrode, an insulating film on the first electrode, and a second electrode on the insulating film. An edge of the first electrode facing the display area extends beyond an edge of the second electrode facing the display area.